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FDS6681Z

更新时间： 2024-11-05 21:55:15

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体晶体管开关光电二极管 PC
页数	文件大小	规格书
6页	108K
描述
30 Volt P-Channel PowerTrench MOSFET

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FDS6681Z 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	3.31
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	20 A	最大漏极电流 (ID)：	20 A
最大漏源导通电阻：	0.0046 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	2.5 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

FDS6681Z 数据手册

June 2005

FDS6681Z

30 Volt P-Channel PowerTrench^®MOSFET

General Description

Features

This P-Channel MOSFET is produced using Fairchild

Semiconductor’s advanced PowerTrench^®process that

has been especially tailored to minimize the on-state

resistance.

• –20 A, –30 V. R_DS(ON)= 4.6 mΩ @ V_GS= –10 V

R_DS(ON)= 6.5 mΩ @ V_GS= –4.5 V

• Extended V_GSSrange (–25V) for battery applications

• HBM ESD protection level of 8kV typical (note 3)

• High performance trench technology for extremely

low R_DS(ON)

This device is well suited for Power Management and

load switching applications common in Notebook

Computers and Portable Battery Packs.

• High power and current handling capability

• Termination is Lead-free and RoHS Compliant

SO-8

Absolute Maximum Ratings T_A=25^oC unless otherwise noted

Symbol

V_DSS

Parameter

Drain-Source Voltage

Ratings

Units

–30

V_GSS

I_D

Gate-Source Voltage

±25

–20

Drain Current – Continuous

– Pulsed

(Note 1a)

–105

2.5

P_D

Power Dissipation for Single Operation

(Note 1a)

(Note 1b)

1.2

(Note 1c)

1.0

T_J, T_STG

Operating and Storage Junction Temperature Range

–55 to +150

°C

Thermal Characteristics

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

Thermal Resistance, Junction-to-Case

(Note 1a)

(Note 1)

R_θJA

°C/W

R_θJC

Package Marking and Ordering Information

Device Marking

Device

Reel Size

Tape width

Quantity

FDS6681Z

13’’

12mm

2500 units

FDS6681Z Rev B (W)

12 3 4 5 6

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FDS6681Z 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRF9310PBF	INFINEON	功能相似	HEXFET Power MOSFET
AO4435	AOS	功能相似	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

与FDS6681Z相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FDS6682	FAIRCHILD	获取价格	30V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDS6682	ONSEMI	获取价格	30V N沟道PowerTrench® MOSFET
FDS6682	UMW	获取价格	种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:30V;持续漏极电流（Id）（在25°C时
FDS6682_05	FAIRCHILD	获取价格	30V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDS6682_NL	FAIRCHILD	获取价格	暂无描述
FDS6682D84Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 14A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
FDS6682F011	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 14A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
FDS6682L86Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 14A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
FDS6685	FAIRCHILD	获取价格	P-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET
FDS6685	UMW	获取价格	种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-30V;持续漏极电流（Id）（在25°C

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