FDS6690A

更新时间： 2024-02-11 02:03:51

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管 PC
页数	文件大小	规格书
8页	248K
描述
Single N-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET

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FDS6690A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT	包装说明：	SOIC-8
针数：	8	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.11
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	10 A	最大漏极电流 (ID)：	10 A
最大漏源导通电阻：	0.016 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	2.5 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

FDS6690A 数据手册

April 1999

FDS6690A

Single N-Channel, Logic Level, PowerTrench^TMMOSFET

General Description

Features

11 A, 30 V. R_DS(ON)= 0.0125 W @ V_GS= 10 V,

R_DS(ON)= 0.017 W @ V_GS= 4.5 V.

This N-Channel

Logic

Fairchild

Level MOSFET is

Semiconductor's

produced

using

advanced PowerTrench process that has been

especially tailored to minimize the on-state

resistance and yet maintain superior switching

performance.

Fast switching speed.

Low gate charge.

High performance trench technology for

These devices are well suited for low voltage and

battery powered applications where low in-line

power loss and fast switching are required.

extremely low R_DS(ON)

High power and current handling capability.

SuperSOT^TM-6

SO-8

SOT-223

SuperSOT^TM-8

SOIC-16

SOT-23

pin 1

SO-8

Absolute Maximum Ratings T_A= 25^oC unless other wise noted

Symbol

V_DSS

V_GSS

I_D

Parameter

Ratings

Units

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current - Continuous

- Pulsed

±20

(Note 1a)

P_D

Power Dissipation for Single Operation

2.5

(Note 1b)

(Note 1c)

1.2

T_J,T_STG

Operating and Storage Temperature Range

-55 to 150

°C

THERMAL CHARACTERISTICS

R_q_JA

R_q_JC

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (Note 1a)

Thermal Resistance, Junction-to-Case

°C/W

(Note 1)

FDS6690A Rev.C1

12 3 4 5 6 7 8

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FDS6690A 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRF8707TRPBF	INFINEON	功能相似	HEXFETÂ® Power MOSFET
STS11NF30L	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-CHANNEL 30V - 0.009 ohm - 11A SO-8 LOW GATE CHARGE STripFET POWER MOSFET

与FDS6690A相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FDS6690A_NBBM010A	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
FDS6690A_NL	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
FDS6690AD84Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
FDS6690AF011	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
FDS6690A-F095	FAIRCHILD	获取价格	Transistor
FDS6690AL99Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
FDS6690A-NB23008	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
FDS6690A-NBBM015A	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
FDS6690A-NBNP006	ONSEMI	获取价格	单 N 沟道，逻辑电平，Power Trench® MOSFET，30V，11A，12.5
FDS6690A-NBNPO06	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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