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FDS6690S PDF预览

FDS6690S

更新时间： 2024-02-20 10:43:14
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
9页 262K
描述
30V N-Channel PowerTrench SyncFET⑩

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FDS6690S 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SOIC-8
针数：8Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.11
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：10 A最大漏极电流 (ID)：10 A
最大漏源导通电阻：0.016 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2.5 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDS6690S 数据手册

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May 2000  
PRELIMINARY  
FDS6690S  
30V N-Channel PowerTrenchÒ SyncFET™  
General Description  
Features  
The FDS6690S is designed to replace a single SO-8  
MOSFET and Schottky diode in synchronous DC:DC  
power supplies. This 30V MOSFET is designed to  
maximize power conversion efficiency, providing a low  
RDS(ON) and low gate charge. The FDS6690S includes  
an integrated Schottky diode using Fairchild’s  
monolithic SyncFET technology. The performance of  
the FDS6690S as the low-side switch in a synchronous  
rectifier is close to the performance of the FDS6690A in  
parallel with a Schottky diode.  
·
10 A, 30 V.  
RDS(ON) = 0.016 W @ V GS = 10 V  
RDS(ON) = 0.024 W @ V GS = 4.5 V  
·
·
·
Includes SyncFET Schottky diode  
Low gate charge (11 nC typical)  
High performance trench technology for extremely low  
RDS(ON)  
Applications  
·
High power and current handling capability  
· DC/DC converter  
· Motor drives  
D
D
5
6
7
8
4
3
2
1
D
D
G
S
S
SO-8  
S
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Ratings  
Units  
VDSS  
Drain-Source Voltage  
30  
V
VGSS  
ID  
Gate-Source Voltage  
±20  
V
A
Drain Current – Continuous  
– Pulsed  
(Note 1a)  
10  
50  
PD  
Power Dissipation for Single Operation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
(Note 1c)  
2.5  
W
1.2  
1
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
RqJA  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
(Note 1a)  
(Note 1)  
50  
25  
°C/W  
°C/W  
RqJC  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
FDS6690S  
FDS6690S  
13’’  
12mm  
2500 units  
FDS6690S Rev B(W)  
Ó2000 Fairchild Semiconductor Corporation  
1234567...9

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FDS6690S 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FDS4410 FAIRCHILD

类似代替

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