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FDS6815L86Z

更新时间： 2024-11-24 15:32:19
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 231K
描述
Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 20V, 0.04ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOIC-8

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FDS6815L86Z 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.84
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (ID)：5.5 A最大漏源导通电阻：0.04 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：P-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：50 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDS6815L86Z 数据手册

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July 1999  
ADVANCE INFORMATION  
FDS6815  
Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET  
General Description  
Features  
These P-Channel 2.5V specified MOSFETs are produced  
using a rugged gate version of Fairchild's advanced  
PowerTrenchTM process. It has been optimized for  
power management applications which require a wide  
range of gate drive voltages.  
• -5.5 A, 20 V. RDS(ON) = 0.040 Ω @ VGS = –4.5 V  
R
DS(ON) = 0.050 Ω @ VGS = –2.5 V  
• Extended VGSS range ( ±12V) for battery applications.  
• Low gate charge.  
Applications  
• Fast switching speed.  
• Load switch  
• Battery protection  
• Power management  
• High performance trench technology for extremely  
low RDS(ON)  
.
• High power and current handling capability.  
D2  
D2  
D1  
4
5
6
7
8
D1  
3
2
1
G2  
S2  
G1  
SO-8  
S1  
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Ratings  
Units  
V
20  
VGSS  
ID  
Gate-Source Voltage  
V
A
±12  
5.5  
Drain Current - Continuous  
- Pulsed  
(Note 1a)  
50  
PD  
Power Dissipation for Dual Operation  
Power Dissipation for Single Operation  
2.0  
W
(Note 1a)  
(Note 1b)  
1.6  
1.0  
(Note 1c)  
0.9  
TJ, Tstg  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
(Note 1a)  
(Note 1)  
78  
40  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
RθJC  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape Width  
Quantity  
2500 units  
FDS6815  
FDS6815  
13’’  
12mm  
FDS6815 Rev. A  
1999 Fairchild Semiconductor Corporation  
123456

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与FDS6815L86Z相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDS6815S62Z FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 20V, 0.04ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Met
FDS6875 FAIRCHILD

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 		Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET
FDS6875 ONSEMI

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 		双 P 沟道，2.5V 指定，PowerTrench® MOSFET，-20V，-6A，3
FDS6875_NL FAIRCHILD

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