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FDS6694_NF073

更新时间： 2024-11-20 14:42:11
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 113K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, SO-8

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FDS6694_NF073 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：LEAD FREE, SO-8
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.38
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：12 A最大漏源导通电阻：0.011 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDS6694_NF073 数据手册

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January 2004  
FDS6694  
30V N-Channel Fast Switching PowerTrenchÒ MOSFET  
General Description  
Features  
This N-Channel MOSFET has been designed  
specifically to improve the overall efficiency of DC/DC  
converters using either synchronous or conventional  
switching PWM controllers. It has been optimized for  
low gate charge, low RDS(ON) and fast switching speed.  
·
12 A, 30 V.  
RDS(ON) = 11 mW @ VGS = 10 V  
RDS(ON) = 13.5 mW @ VGS = 4.5 V  
·
·
Low gate charge (13 nC typical)  
High performance trench technology for extremely  
low RDS(ON)  
Applications  
·
·
·
DC/DC converter  
Power management  
Load switch  
·
High power and current handling capability.  
D
5
6
7
8
4
3
2
1
D
D
D
G
SO-8  
S
S
S
Pin 1  
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Ratings  
Units  
30  
V
V
A
VGSS  
Gate-Source Voltage  
±20  
ID  
Drain Current – Continuous  
– Pulsed  
(Note 1a)  
12  
50  
2.5  
Power Dissipation for Single Operation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
(Note 1c)  
PD  
W
1.4  
1.2  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
–55 to +175  
°C  
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
(Note 1a)  
(Note 1c)  
(Note 1)  
50  
125  
25  
RqJA  
RqJA  
RqJC  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
FDS6694  
FDS6694  
13’’  
12mm  
2500 units  
FDS6694 Rev.E(W)  
Ó2004 Fairchild Semiconductor Corporation  
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDS6694L86Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
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