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FDS6814D84Z

更新时间： 2024-11-20 21:06:07
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 230K
描述
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 20V, 0.02ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOIC-8

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FDS6814D84Z 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.84
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (ID)：8 A最大漏源导通电阻：0.02 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：50 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDS6814D84Z 数据手册

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July 1999  
ADVANCE INFORMATION  
FDS6814  
Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel 2.5V specified MOSFETs are produced  
using a rugged gate version of Fairchild's advanced  
PowerTrenchTM process. It has been optimized for  
power management applications which require a wide  
range of gate drive voltage.  
• 8 A, 20 V. RDS(ON) = 0.020 Ω @ VGS = 4.5 V  
RDS(ON) = 0.030 Ω @ VGS = 2.5 V  
• Rugged gate rating ( ±12V).  
• Low gate charge.  
Applications  
• Fast switching speed.  
• Low voltage DC/DC Converters  
• Load switch  
• High performance trench technology for extremely  
low RDS(ON)  
.
• Battery protection  
• Power management  
• High power and current handling capability.  
D2  
4
5
6
7
8
D2  
D1  
3
2
1
D1  
G2  
S2  
G1  
SO-8  
S1  
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Ratings  
Units  
V
20  
VGSS  
ID  
Gate-Source Voltage  
V
A
±12  
Drain Current - Continuous  
- Pulsed  
(Note 1a)  
8
50  
PD  
Power Dissipation for Dual Operation  
Power Dissipation for Single Operation  
2.0  
W
(Note 1a)  
(Note 1b)  
1.6  
1.0  
(Note 1c)  
0.9  
TJ, Tstg  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
(Note 1a)  
(Note 1)  
78  
40  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
RθJC  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
2500 units  
FDS6814  
FDS6814  
13’’  
12mm  
FDS6814 Rev. A  
1999 Fairchild Semiconductor Corporation  
123456

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