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FDS6815

更新时间： 2024-11-19 22:49:03
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
6页 231K
描述
Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench⑩ MOSFET

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FDS6815 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.92配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：5.5 A
最大漏极电流 (ID)：5.5 A最大漏源导通电阻：0.04 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e0元件数量：2
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：50 A
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDS6815 数据手册

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July 1999  
ADVANCE INFORMATION  
FDS6815  
Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET  
General Description  
Features  
These P-Channel 2.5V specified MOSFETs are produced  
using a rugged gate version of Fairchild's advanced  
PowerTrenchTM process. It has been optimized for  
power management applications which require a wide  
range of gate drive voltages.  
• -5.5 A, 20 V. RDS(ON) = 0.040 Ω @ VGS = –4.5 V  
R
DS(ON) = 0.050 Ω @ VGS = –2.5 V  
• Extended VGSS range ( ±12V) for battery applications.  
• Low gate charge.  
Applications  
• Fast switching speed.  
• Load switch  
• Battery protection  
• Power management  
• High performance trench technology for extremely  
low RDS(ON)  
.
• High power and current handling capability.  
D2  
D2  
D1  
4
5
6
7
8
D1  
3
2
1
G2  
S2  
G1  
SO-8  
S1  
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Ratings  
Units  
V
20  
VGSS  
ID  
Gate-Source Voltage  
V
A
±12  
5.5  
Drain Current - Continuous  
- Pulsed  
(Note 1a)  
50  
PD  
Power Dissipation for Dual Operation  
Power Dissipation for Single Operation  
2.0  
W
(Note 1a)  
(Note 1b)  
1.6  
1.0  
(Note 1c)  
0.9  
TJ, Tstg  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
(Note 1a)  
(Note 1)  
78  
40  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
RθJC  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape Width  
Quantity  
2500 units  
FDS6815  
FDS6815  
13’’  
12mm  
FDS6815 Rev. A  
1999 Fairchild Semiconductor Corporation  
123456

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