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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | SOIC |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.31 |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 21 A | 最大漏极电流 (ID)： | 21 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0036 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 2.5 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| FDS6299S | FAIRCHILD |
类似代替  |
30V N-Channel PowerTrench SyncFET |
|
| FDS7066N3 | FAIRCHILD |
类似代替 |
30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDS6699S_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 21A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- |
|
| FDS6812 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFET |
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| FDS6812A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFET |
|
| FDS6812A_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 6.7A I(D), 20V, 0.22ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| FDS6814 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench⑩ MO |
|
| FDS6814D84Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 20V, 0.02ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| FDS6814S62Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 20V, 0.02ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| FDS6815 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench⑩ MO |
|
| FDS6815D84Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 20V, 0.04ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| FDS6815L86Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 20V, 0.04ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
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