是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | SOT | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 |
针数: | 8 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 7.35 |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 23 A |
最大漏极电流 (ID): | 23 A | 最大漏源导通电阻: | 0.0055 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 |
JESD-609代码: | e4 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 8 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 3 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
FDS6699S | FAIRCHILD |
类似代替 |
30V N-Channel PowerTrench SyncFET | |
FDS6299S | FAIRCHILD |
类似代替 |
30V N-Channel PowerTrench SyncFET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FDS7066N7 | FAIRCHILD |
获取价格 |
30V N-Channel PowerTrench MOSFET | |
FDS7066N7_04 | FAIRCHILD |
获取价格 |
30V N-Channel PowerTrench MOSFET | |
FDS7066SN3 | FAIRCHILD |
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30V N-Channel PowerTrench SyncFET⑩ | |
FDS7068SN3 | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 30V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
FDS7079ZN3 | FAIRCHILD |
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30 Volt P-Channel PowerTrench MOSFET | |
FDS7082N3 | FAIRCHILD |
获取价格 |
30V N-Channel PowerTrench MOSFET | |
FDS7088N3 | FAIRCHILD |
获取价格 |
30V N-Channel PowerTrench MOSFET | |
FDS7088N7 | FAIRCHILD |
获取价格 |
30V N-Channel PowerTrench MOSFET | |
FDS7088SN3 | FAIRCHILD |
获取价格 |
30V N-Channel PowerTrench? SyncFET | |
FDS7096N | FAIRCHILD |
获取价格 |
30V N-Channel PowerTrench MOSFET |