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FDS7766_NL

更新时间： 2024-11-18 19:56:07

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	121K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 17A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8

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FDS7766_NL 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：	8	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.35
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	17 A	最大漏极电流 (ID)：	17 A
最大漏源导通电阻：	0.005 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

FDS7766_NL 数据手册

March 2003

FDS7766

30V N-Channel PowerTrench MOSFET

General Description

Features

This N-Channel MOSFET has been designed

specifically to improve the overall efficiency of DC/DC

converters using either synchronous or conventional

switching PWM controllers. It has been optimized for

“low side” synchronous rectifier operation, providing an

extremely low R_DS(ON)in a small package.

• 17 A, 30 V

R_DS(ON)= 5 mΩ @ V_GS= 10 V

R_DS(ON)= 6 mΩ @ V_GS= 4.5 V

• High performance trench technology for extremely

low R_DS(ON)

Applications

• High power and current handling capability

• Fast switching

• Synchronous rectifier

• DC/DC converter

SO-8

Absolute Maximum Ratings T_A=25^oC unless otherwise noted

Symbol

V_DSS

Parameter

Drain-Source Voltage

Ratings

Units

V_GSS

Gate-Source Voltage

±16

I_D

Drain Current – Continuous

– Pulsed

(Note 1a)

2.5

Power Dissipation for Single Operation

(Note 1a)

(Note 1b)

(Note 1c)

P_D

1.2

1.0

T_J, T_STG

Operating and Storage Junction Temperature Range

–55 to +150

°C

Thermal Characteristics

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

(Note 1a)

(Note 1c)

(Note 1)

125

R_θJA

R_θJC

°C/W

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

Thermal Resistance, Junction-to-Case

Package Marking and Ordering Information

Device Marking

Device

Reel Size

Tape width

Quantity

FDS7766

13’’

12mm

2500 units

FDS7766 Rev E (W)

2003 Fairchild Semiconductor Corporation

12 3 4 5

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与FDS7766_NL相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FDS7766D84Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 17A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
FDS7766S	FAIRCHILD	获取价格	30V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDS7766S62Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 17A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
FDS7779Z	FAIRCHILD	获取价格	30 Volt P-Channel PowerTrench MOSFET
FDS7779Z	UMW	获取价格	种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-30V;持续漏极电流（Id）（在25°C
FDS7779Z_NL	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 30V, 0.0072ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
FDS7782	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 16.5A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
FDS7782D84Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 16.5A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
FDS7782L86Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 16.5A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
FDS7782L99Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 16.5A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta

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