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FDS7088N3

更新时间： 2024-11-17 22:40:39
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飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
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6页 171K
描述
30V N-Channel PowerTrench MOSFET

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FDS7088N3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.43
Samacsys Description：MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：21 A最大漏极电流 (ID)：21 A
最大漏源导通电阻：0.004 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e4
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：3 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：60 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON

FDS7088N3 数据手册

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February 2004  
FDS7088N3  
30V N-Channel PowerTrench MOSFET  
General Description  
Features  
This N-Channel MOSFET has been designed  
specifically to improve the overall efficiency of DC/DC  
converters using either synchronous or conventional  
switching PWM controllers. It has been optimized for  
“low side” synchronous rectifier operation, providing an  
extremely low RDS(ON) in a small package.  
• 21 A, 30 V  
RDS(ON) = 4 mΩ @ VGS = 10 V  
RDS(ON) = 5 mΩ @ VGS = 4.5 V  
• High performance trench technology for extremely  
low RDS(ON)  
Applications  
• High power and current handling capability  
• Fast switching  
• Synchronous rectifier  
• DC/DC converter  
• FLMP SO-8 package: Enhanced thermal  
performance in industry-standard package size  
Bottom-side  
Drain Contact  
5
6
7
8
4
3
2
1
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Ratings  
Units  
VDSS  
Drain-Source Voltage  
30  
V
VGSS  
Gate-Source Voltage  
±20  
ID  
Drain Current – Continuous  
– Pulsed  
(Note 1a)  
21  
60  
A
Power Dissipation for Single Operation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
3.0  
1.5  
–55 to +150  
PD  
W
°C  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
(Note 1a)  
(Note 1)  
40  
0.5  
RθJA  
RθJC  
°C/W  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
12mm  
Quantity  
2500 units  
FDS7088N3  
FDS7088N3  
13’’  
FDS7088N3 Rev D1 (W)  
2004 Fairchild Semiconductor Corporation  
123456

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FDS7088N3 替代型号

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