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FDS7764SL86Z

更新时间： 2024-11-21 14:42:11
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 232K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 13.5A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOIC-8

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FDS7764SL86Z 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.71配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (ID)：13.5 A
最大漏源导通电阻：0.008 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDS7764SL86Z 数据手册

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September 2001  
PRELIMINARY  
FDS7764S  
30V N-Channel PowerTrenchÒ SyncFET™  
General Description  
Features  
The FDS7764S is designed to replace a single SO-8  
MOSFET and Schottky diode in synchronous DC:DC  
power supplies. This 30V MOSFET is designed to  
maximize power conversion efficiency, providing a low  
RDS(ON) and low gate charge. The FDS7764S includes  
an integrated Schottky diode using Fairchild’s  
monolithic SyncFET technology. The performance of  
the FDS7764S as the low-side switch in a synchronous  
rectifier is close to the performance of the FDS7764A in  
parallel with a Schottky diode.  
·
13.5 A, 30 V. RDS(ON) = 8 mW @ VGS = 10 V  
RDS(ON) = 10 mW @ VGS = 4.5 V  
Includes SyncFET Schottky body diode  
Low gate charge (28nC typical)  
·
·
·
High performance trench technology for extremely  
low RDS(ON) and fast switching  
Applications  
·
High power and current handling capability  
·
·
DC/DC converter  
Motor drives  
D
D
5
6
7
8
4
3
2
1
D
D
G
S
S
SO8 W  
S
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Ratings  
Units  
30  
V
V
A
VGSS  
Gate-Source Voltage  
±16  
13.5  
50  
ID  
Drain Current – Continuous  
– Pulsed  
(Note 1a)  
Power Dissipation for Single Operation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
2.5  
1.2  
PD  
W
(Note 1c)  
1.0  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
–55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
(Note 1a)  
(Note 1)  
50  
30  
RqJA  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
RqJC  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
FDS7764S  
FDS7764S  
13’’  
12mm  
2500 units  
FDS6690S Rev C (W)  
Ó 2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
12345678

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与FDS7764SL86Z相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDS7766 FAIRCHILD

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FDS7766_NL FAIRCHILD

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