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FDS7764A_NL

更新时间： 2024-11-21 21:19:19
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 168K
描述
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 30V, 0.0075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8

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FDS7764A_NL 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.33
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：15 A最大漏极电流 (ID)：15 A
最大漏源导通电阻：0.0075 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2.5 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：50 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDS7764A_NL 数据手册

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March 2005  
FDS7764A  
30V N-Channel PowerTrench MOSFET  
General Description  
Features  
This N-Channel MOSFET has been designed  
specifically to improve the overall efficiency of DC/DC  
converters using either synchronous or conventional  
switching PWM controllers. It has been optimized for  
“low side” synchronous rectifier operation, providing an  
extremely low RDS(ON) in a small package.  
• 15 A, 30 V.  
RDS(ON) = 7.5 mΩ @ VGS = 4.5 V  
• High performance trench technology for extremely  
low RDS(ON). High power and current handling  
capability  
Applications  
• Synchronous rectifier  
• DC/DC converter  
D
D
D
5
6
7
8
4
3
2
1
D
G
S
S
SO-8  
S
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Ratings  
Units  
VDSS  
Drain-Source Voltage  
30  
V
V
A
VGSS  
Gate-Source Voltage  
±12  
15  
50  
2.5  
1.2  
ID  
Drain Current – Continuous  
– Pulsed  
(Note 1a)  
Power Dissipation for Single Operation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
(Note 1c)  
PD  
W
1.0  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
–55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
(Note 1a)  
(Note 1)  
50  
30  
RθJA  
RθJC  
°C/W  
°C/W  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
FDS7764A  
FDS7764A  
13’’  
12mm  
2500 units  
FDS7764A Rev E1 (W)  
2005 Fairchild Semiconductor Corporation  
12345

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与FDS7764A_NL相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDS7764S FAIRCHILD

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 		30V N-Channel PowerTrench SyncFET
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