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FDS7760AF011

更新时间： 2024-11-18 21:06:31
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 222K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 15A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOIC-8

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FDS7760AF011 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.39配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (ID)：15 A
最大漏源导通电阻：0.0055 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDS7760AF011 数据手册

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December 2000  
PRELIMINARY  
FDS7760A  
N-Channel Logic Level PowerTrench® MOSFET  
General Description  
Features  
This N-Channel Logic Level MOSFET is produced  
•
15 A, 30 V. RDS(ON) = 5.5 mΩ @ VGS = 10 V  
RDS(ON) = 8 mΩ @ VGS = 4.5 V.  
using  
Fairchild  
Semiconductor’s  
advanced  
PowerTrench process that has been especially tailored  
to minimize on-state resistance and yet maintain  
superior switching performance.  
•
•
•
Low gate charge (37nC typical)  
Fast switching speed.  
These devices are well suited for low voltage and  
battery powered applications where low in-line power  
loss and fast switching are required.  
High performance trench technology for extremely  
low RDS(ON)  
.
Applications  
•
High power and current handling capability.  
• DC/DC converter  
• Load switch  
• Motor drives  
D
D
D
5
6
7
8
4
3
2
1
D
G
S
S
SO-8  
S
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Ratings  
Units  
V
30  
VGSS  
ID  
Gate-Source Voltage  
V
A
±20  
Drain Current – Continuous  
– Pulsed  
(Note 1a)  
15  
60  
PD  
Power Dissipation for Single Operation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
2.5  
W
1.2  
1
(Note 1c)  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
(Note 1a)  
(Note 1c)  
(Note 1)  
50  
50 (10 sec)  
30  
RθJA  
RθJA  
RθJC  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Package Outlines and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape Width  
Quantity  
FDS7760A  
FDS7760A  
13’’  
12mm  
2500 units  
FDS7760A Rev. C (W)  
2000 Fairchild Semiconductor Corporation  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDS7760AL86Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 15A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
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