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FDS6812

更新时间： 2024-02-17 00:14:19
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
5页 80K
描述
Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFET

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FDS6812 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.37
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：6.7 A最大漏极电流 (ID)：6.7 A
最大漏源导通电阻：0.22 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：35 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDS6812 数据手册

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November 2001  
FDS6812A  
Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrenchÒ MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel Logic Level MOSFETs are produced  
·
6.7 A, 20 V.  
RDS(ON) = 22 mW @ VGS = 4.5 V  
RDS(ON) = 35 mW @ VGS = 2.5 V  
using  
Fairchild  
Semiconductor’s  
advanced  
PowerTrench process that has been especially tailored  
to minimize the on-state resistance and yet maintain  
superior switching performance.  
·
·
Low gate charge (12 nC typical)  
High performance trench technology for extremely  
low RDS(ON)  
These devices are well suited for low voltage and  
battery powered applications where low in-line power  
loss and fast switching are required.  
·
High power and current handling capability  
D1  
5
6
7
8
4
3
2
1
D1  
D2  
Q1  
Q2  
D2  
G1  
SO-8  
S1  
G2  
S2  
SO
Pin 1  
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Ratings  
Units  
20  
V
V
A
VGSS  
Gate-Source Voltage  
± 12  
ID  
Drain Current – Continuous  
– Pulsed  
(Note 1a)  
6.7  
35  
PD  
W
Power Dissipation for Dual Operation  
Power Dissipation for Single Operation  
2
(Note 1a)  
(Note 1b)  
1.6  
1
0.9  
(Note 1c)  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
–55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
RqJA  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
(Note 1a)  
(Note 1)  
78  
40  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
RqJC  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
FDS6812A  
FDS6812A  
13’’  
12mm  
2500 units  
FDS6812A Rev B (W)  
Ó2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDS6812A FAIRCHILD

获取价格

 		Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFET
FDS6812A_NL FAIRCHILD

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