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FDS6699S_NL

更新时间： 2023-12-18 00:00:00
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 518K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 21A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8

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FDS6699S_NL 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SO-8
针数：8Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.45
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：21 A最大漏极电流 (ID)：21 A
最大漏源导通电阻：0.0036 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2.5 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDS6699S_NL 数据手册

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January 2005  
FDS6699S  
30V N-Channel PowerTrench® SyncFET™  
Features  
General Description  
■ 21 A, 30 V Max R  
= 3.6 mΩ @ V = 10 V  
The FDS6699S is designed to replace a single SO-8 MOSFET  
and Schottky diode in synchronous DC:DC power supplies.  
This 30V MOSFET is designed to maximize power conversion  
DS(ON)  
DS(ON)  
GS  
Max R  
= 4.5 mΩ @ V = 4.5 V  
GS  
■ Includes SyncFET Schottky body diode  
efficiency, providing a low R  
and low gate charge. The  
DS(ON)  
■ High performance trench technology for extremely low  
FDS6699S includes an integrated Schottky diode using Fair-  
child’s monolithic SyncFET technology.  
R
and fast switching  
DS(ON)  
■ High power and current handling capability  
■ 100% R (Gate Resistance) tested  
G
Applications  
■ Synchronous Rectifier for DC/DC Converters –  
■
■
Notebook Vcore low side switch  
Point of Load low side switch  
D
D
5
6
7
8
4
3
2
1
D
D
G
S
S
SO-8  
S
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
A
Symbol  
Parameter  
Ratings  
Units  
V
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
30  
V
V
A
DSS  
V
20  
GSS  
I
Drain Current – Continuous  
– Pulsed  
(Note 1a)  
21  
D
105  
P
Power Dissipation for Single Operation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
(Note 1c)  
2.5  
W
D
1.2  
1
T , T  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
–55 to +150  
°C  
J
STG  
Thermal Characteristics  
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
(Note 1a)  
(Note 1)  
50  
25  
°C/W  
θJA  
θJC  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
FDS6699S  
FDS6699S  
13’’  
12mm  
2500 units  
©2005 Fairchild Semiconductor Corporation  
1
www.fairchildsemi.com  
FDS6699S Rev. D1  
123456

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