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FDS6699S_NL

更新时间： 2024-11-20 20:10:51

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	518K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 21A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8

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FDS6699S_NL 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT	包装说明：	SO-8
针数：	8	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.45
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	21 A	最大漏极电流 (ID)：	21 A
最大漏源导通电阻：	0.0036 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	2.5 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

FDS6699S_NL 数据手册

January 2005

FDS6699S

30V N-Channel PowerTrench^®SyncFET™

Features

General Description

■ 21 A, 30 V Max R

= 3.6 mΩ @ V = 10 V

The FDS6699S is designed to replace a single SO-8 MOSFET

and Schottky diode in synchronous DC:DC power supplies.

This 30V MOSFET is designed to maximize power conversion

DS(ON)

Max R

= 4.5 mΩ @ V = 4.5 V

■ Includes SyncFET Schottky body diode

efﬁciency, providing a low R

and low gate charge. The

DS(ON)

■ High performance trench technology for extremely low

FDS6699S includes an integrated Schottky diode using Fair-

child’s monolithic SyncFET technology.

and fast switching

DS(ON)

■ High power and current handling capability

■ 100% R (Gate Resistance) tested

Applications

■ Synchronous Rectiﬁer for DC/DC Converters –

■

Notebook Vcore low side switch

Point of Load low side switch

SO-8

Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Ratings

Units

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

DSS

GSS

Drain Current – Continuous

– Pulsed

(Note 1a)

105

Power Dissipation for Single Operation

(Note 1a)

(Note 1b)

(Note 1c)

2.5

1.2

T , T

Operating and Storage Junction Temperature Range

–55 to +150

°C

STG

Thermal Characteristics

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

Thermal Resistance, Junction-to-Case

(Note 1a)

(Note 1)

°C/W

θJA

θJC

Package Marking and Ordering Information

Device Marking

Device

Reel Size

Tape width

Quantity

FDS6699S

13’’

12mm

2500 units

www.fairchildsemi.com

FDS6699S Rev. D1

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FDS6812	FAIRCHILD	获取价格	Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFET
FDS6812A	FAIRCHILD	获取价格	Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFET
FDS6812A_NL	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 6.7A I(D), 20V, 0.22ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Met
FDS6814	FAIRCHILD	获取价格	Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench⑩ MO
FDS6814D84Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 20V, 0.02ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal
FDS6814S62Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 20V, 0.02ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal
FDS6815	FAIRCHILD	获取价格	Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench⑩ MO
FDS6815D84Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 20V, 0.04ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Met
FDS6815L86Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 20V, 0.04ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Met
FDS6815S62Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 20V, 0.04ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Met

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