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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SOT |
| 包装说明： | SOIC-8 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.12 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (ID)： | 10 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.016 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 8 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | COMMERCIAL | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDS6690SD84Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 10A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- |
|
| FDS6690SF011 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 10A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- |
|
| FDS6690SL86Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 10A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- |
|
| FDS6692 | FAIRCHILD |
获取价格 |
30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
|
| FDS6692_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
暂无描述 |
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| FDS6692A | ONSEMI |
获取价格 |
30V N沟道PowerTrench® MOSFET |
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| FDS6692A | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 9A, 11.5mOhm |
|
| FDS6692A_10 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench® MOSFET 30V, 9A, 11.5m |
|
| FDS6692F011 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.012A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| FDS6692L86Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.012A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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