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FDS6692

更新时间： 2024-11-19 22:49:03
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 65K
描述
30V N-Channel PowerTrench MOSFET

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FDS6692 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SO-8
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.35
Is Samacsys：N配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：12 A
最大漏极电流 (ID)：12 A最大漏源导通电阻：0.012 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2.5 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDS6692 数据手册

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September 2003  
FDS6692  
30V N-Channel PowerTrenchÒ MOSFET  
General Description  
Features  
This N-Channel MOSFET has been designed  
specifically to improve the overall efficiency of DC/DC  
converters using either synchronous or conventional  
switching PWM controllers. It has been optimized for  
low gate charge, low RDS(ON) and fast switching speed.  
·
12 A, 30 V.  
RDS(ON) = 12 mW @ VGS = 10 V.  
RDS(ON) = 14.5 mW @ VGS = 4.5 V  
·
High performance trench technology for extremely  
low RDS(ON)  
Applications  
·
·
Low gate charge (18 nC typical)  
·
DC/DC converter  
High power and current handling capability  
D
D
5
6
7
8
4
3
2
1
D
D
G
S
S
SO-8  
S
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Ratings  
30  
Units  
V
V
A
± 16  
VGSS  
Gate-Source Voltage  
ID  
Drain Current – Continuous  
– Pulsed  
(Note 1a)  
12  
50  
Power Dissipation for Single Operation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
2.5  
PD  
W
1.2  
(Note 1c)  
1.0  
°C  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +175  
Thermal Characteristics  
RqJA  
RqJA  
RqJC  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
(Note 1a)  
(Note 1c)  
(Note 1)  
50  
125  
25  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
FDS6692  
FDS6692  
13’’  
12mm  
2500 units  
FDS6692 Rev D (W)  
Ó2003 Fairchild Semiconductor Corporation  
1234

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FDS6692 替代型号

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