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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> FDS6690S_NL
FDS6690S_NL PDF预览

FDS6690S_NL

更新时间： 2024-02-25 18:38:27
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
8页 204K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 10A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOIC-8

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FDS6690S_NL 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SOIC-8
针数：8Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.11
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：10 A最大漏极电流 (ID)：10 A
最大漏源导通电阻：0.016 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2.5 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDS6690S_NL 数据手册

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January 2000  
FDS6690  
Single N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench® MOSFET  
General Description  
Features  
10 A, 30 V. RDS(ON) = 0.0135 W @ VGS = 10 V  
DS(ON) = 0.0200 W @ VGS = 4.5 V.  
This N Channel Logic Level MOSFET has been designed  
specifically to improve the overall efficiency of DC/DC  
converters using either synchronous or conventional switching  
PWM controllers.  
R
Optimized for use in switching DC/DC converters with  
PWM controllers.  
The MOSFET features faster switching and lower gate charge  
than other MOSFETs with comparable RDS(ON) specifications.  
Very fast switching .  
The result is a MOSFET that is easy and safer to drive (even at  
very high frequencies), and DC/DC power supply designs with  
higher overall efficiency.  
Low gate charge (Qg typ = 13 nC).  
SuperSOTTM-6  
SuperSOTTM-8  
SOIC-16  
SOT-23  
SO-8  
SOT-223  
D
5
6
4
3
2
1
D
D
D
7
8
G
S
pin  
1
S
SO-8  
S
Absolute Maximum Ratings TA = 25oC unless other wise noted  
Symbol Parameter  
FDS6690  
Units  
Drain-Source Voltage  
30  
V
VDSS  
VGSS  
ID  
Gate-Source Voltage  
±20  
V
A
Drain Current - Continuous  
- Pulsed  
(Note 1a)  
(Note 1a)  
10  
50  
2.5  
Power Dissipation for Single Operation  
W
PD  
(Note 1b)  
(Note 1c)  
1.2  
1
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to 150  
°C  
TJ,TSTG  
THERMAL CHARACTERISTICS  
RqJA  
RqJC  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (Note 1a)  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
50  
25  
°C/W  
°C/W  
(Note 1)  
© 1998 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDS6690 Rev.C  
12345678

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