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FDS6690AF011

更新时间： 2024-11-11 14:42:11
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 271K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOIC-8

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FDS6690AF011 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.27Is Samacsys：N
其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (ID)：11 A
最大漏源导通电阻：0.0125 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDS6690AF011 数据手册

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October 2001  
FDS6690A  
Single N-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET  
General Description  
Features  
11 A, 30 V. RDS(ON) = 0.0125 W @ VGS = 10 V,  
DS(ON) = 0.017 W @ VGS = 4.5 V.  
This N-Channel  
Logic  
Fairchild  
Level MOSFET is  
Semiconductor's  
produced  
using  
R
advanced PowerTrench process that has been  
especially tailored to minimize the on-state  
resistance and yet maintain superior switching  
performance.  
Fast switching speed.  
Low gate charge.  
High performance trench technology for  
extremely low RDS(ON)  
These devices are well suited for low voltage and  
battery powered applications where low in-line  
power loss and fast switching are required.  
.
High power and current handling capability.  
SuperSOTTM-6  
SO-8  
SOT-223  
SuperSOTTM-8  
SOIC-16  
SOT-23  
D
5
6
4
3
2
1
D
D
D
7
8
G
S
pin 1  
S
SO-8  
S
Absolute Maximum Ratings TA = 25oC unless other wise noted  
Symbol  
VDSS  
VGSS  
ID  
Parameter  
Ratings  
Units  
V
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Drain Current - Continuous  
- Pulsed  
30  
±20  
11  
V
(Note 1a)  
(Note 1a)  
A
50  
PD  
Power Dissipation for Single Operation  
2.5  
W
(Note 1b)  
(Note 1c)  
1.2  
1
TJ,TSTG  
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to 150  
°C  
THERMAL CHARACTERISTICS  
RqJA  
RqJC  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (Note 1a)  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
50  
25  
°C/W  
°C/W  
(Note 1)  
FDS6690A Rev.D  
© 2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDS6690A-F095 FAIRCHILD

获取价格

 		Transistor
FDS6690AL99Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
FDS6690A-NB23008 FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
FDS6690A-NBBM015A FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
FDS6690A-NBNP006 ONSEMI

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FDS6690AS_08 FAIRCHILD

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 		30V N-Channel PowerTrench㈢ SyncFET⑩

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