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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.27 | 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 11 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0125 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 8 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDS6690A-NB23008 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| FDS6690A-NBBM015A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| FDS6690A-NBNP006 | ONSEMI |
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单 N 沟道，逻辑电平，Power Trench® MOSFET，30V，11A，12.5 |
|
| FDS6690A-NBNPO06 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| FDS6690AS | TI |
获取价格 |
Dual-Synchronous, Step-Down Controller with O |
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| FDS6690AS | FAIRCHILD |
获取价格 |
30V N-Channel PowerTrench SyncFET |
|
| FDS6690AS | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，PowerTrench® SyncFET™，30V，10A，12mΩ |
|
| FDS6690AS_08 | FAIRCHILD |
获取价格 |
30V N-Channel PowerTrench㈢ SyncFET⑩ |
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| FDS6690AS_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
30V N-Channel PowerTrench SyncFET |
|
| FDS6690AS62Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
暂无描述 |
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