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FDS6690A_NL

更新时间： 2024-02-23 08:50:37

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	316K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, SO-8

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FDS6690A_NL 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：	8	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.25
其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	11 A
最大漏极电流 (ID)：	11 A	最大漏源导通电阻：	0.0125 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	功耗环境最大值：	1 W
最大功率耗散 (Abs)：	2.5 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

FDS6690A_NL 数据手册

February 2007

FDS6690A

Single N-Channel, Logic-Level, PowerTrench^MOSFET

General Description

Features

This N-Channel Logic Level MOSFET is produced

• 11 A, 30 V.

R_DS(ON)= 12.5 mΩ @ V_GS= 10 V

R_DS(ON)= 17.0 mΩ @ V_GS= 4.5 V

using

Fairchild

Semiconductor’s

advanced

PowerTrench process that has been especially tailored

to minimize the on-state resistance and yet maintain

superior switching performance.

• Fast switching speed

• Low gate charge

These devices are well suited for low voltage and

battery powered applications where low in-line power

loss and fast switching are required.

• High performance trench technology for extremely

low R_DS(ON)

• High power and current handling capability

SO-8

Pin 1

Absolute Maximum Ratings T_A=25^oC unless otherwise noted

Symbol

V_DSS

Parameter

Drain-Source Voltage

Ratings

Units

V_GSS

Gate-Source Voltage

±20

I_D

Drain Current – Continuous

– Pulsed

(Note 1a)

2.5

Power Dissipation for Single Operation

(Note 1a)

(Note 1b)

P_D

1.0

E_AS

Single Pulse Avalanche Energy

(Note 3)

T_J, T_STG

Operating and Storage Junction Temperature Range

–55 to +150

°C

Thermal Characteristics

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

(Note 1a)

(Note 1b)

(Note 1)

125

R_θJA

R_θJC

°C/W

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

Thermal Resistance, Junction-to-Case

Package Marking and Ordering Information

Device Marking

Device

Reel Size

Tape width

Quantity

FDS6690A

13’’

12mm

2500 units

FDS6690A Rev E1 (W)

2007 Fairchild Semiconductor Corporation

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FDS6690AD84Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
FDS6690AF011	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
FDS6690A-F095	FAIRCHILD	获取价格	Transistor
FDS6690AL99Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
FDS6690A-NB23008	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
FDS6690A-NBBM015A	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
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FDS6690AS	TI	获取价格	Dual-Synchronous, Step-Down Controller with O
FDS6690AS	FAIRCHILD	获取价格	30V N-Channel PowerTrench SyncFET

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