FDS6690

更新时间： 2024-09-22 22:19:47

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		/
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8页	204K
描述
Single N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFET

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FDS6690 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT	包装说明：	SOIC-8
针数：	8	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.12
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	10 A	最大漏极电流 (ID)：	10 A
最大漏源导通电阻：	0.0135 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	2.5 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

FDS6690 数据手册

January 2000

FDS6690

Single N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench® MOSFET

General Description

Features

10 A, 30 V. R_DS(ON)= 0.0135 W @ V_GS= 10 V

_DS(ON)= 0.0200 W @ V_GS= 4.5 V.

This N Channel Logic Level MOSFET has been designed

specifically to improve the overall efficiency of DC/DC

converters using either synchronous or conventional switching

PWM controllers.

Optimized for use in switching DC/DC converters with

PWM controllers.

The MOSFET features faster switching and lower gate charge

than other MOSFETs with comparable R_DS(ON)specifications.

Very fast switching .

The result is a MOSFET that is easy and safer to drive (even at

very high frequencies), and DC/DC power supply designs with

higher overall efficiency.

Low gate charge (Qg typ = 13 nC).

SuperSOT^TM-6

SuperSOT^TM-8

SOIC-16

SOT-23

SO-8

SOT-223

SO-8

Absolute Maximum Ratings T_A= 25^oC unless other wise noted

Symbol Parameter

FDS6690

Units

Drain-Source Voltage

V_DSS

V_GSS

I_D

Gate-Source Voltage

±20

Drain Current - Continuous

- Pulsed

(Note 1a)

2.5

Power Dissipation for Single Operation

P_D

(Note 1b)

(Note 1c)

1.2

Operating and Storage Temperature Range

-55 to 150

°C

T_J,T_STG

THERMAL CHARACTERISTICS

R_q_JA

R_q_JC

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (Note 1a)

Thermal Resistance, Junction-to-Case

°C/W

(Note 1)

FDS6690 Rev.C

12 3 4 5 6 7 8

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FDS6690 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
FDS6990A	ONSEMI	功能相似	双 N 沟道，逻辑电平，PowerTrench® MOSFET，30V，7.5A，18mΩ

与FDS6690相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FDS6690A	ONSEMI	获取价格	单 N 沟道，逻辑电平，Power Trench® MOSFET，30V，11A，12.5
FDS6690A	FAIRCHILD	获取价格	Single N-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET
FDS6690A	UMW	获取价格	种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:30V;持续漏极电流（Id）（在25°C时
FDS6690A_NBBM010A	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
FDS6690A_NL	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
FDS6690AD84Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
FDS6690AF011	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
FDS6690A-F095	FAIRCHILD	获取价格	Transistor
FDS6690AL99Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
FDS6690A-NB23008	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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