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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SOT | 包装说明： | ROHS COMPLIANT, SOP-8 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 7.34 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 端子数量： | 8 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| FDS4410 | FAIRCHILD |
类似代替  |
Single N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrenchTM MOSFET |
|
| NTMD4840NR2G | ONSEMI |
功能相似 |
Power MOSFET 30 V, 7.5 A, Dual N−Channel, SOIC−8 |
|
| NTMS4920NR2G | ONSEMI |
功能相似 |
Power MOSFET 30 V, 17 A, N−Channel, SO−8 |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDS6688F011 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 16A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- |
|
| FDS6688L86Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 16A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- |
|
| FDS6688S | FAIRCHILD |
获取价格 |
30V N-Channel PowerTrench SyncFET |
|
| FDS6688S_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 16A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- |
|
| FDS6689S | FAIRCHILD |
获取价格 |
30V N-Channel PowerTrench SyncFET |
|
| FDS6689S_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| FDS6690 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Single N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFET |
|
| FDS6690A | ONSEMI |
获取价格 |
单 N 沟道，逻辑电平，Power Trench® MOSFET，30V，11A，12.5 |
|
| FDS6690A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Single N-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET |
|
| FDS6690A | UMW |
获取价格 |
种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:30V;持续漏极电流（Id）（在25°C时 |
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