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FDS6688F011

更新时间： 2024-09-23 20:00:35
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 238K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 16A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8

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FDS6688F011 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.32配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (ID)：16 A
最大漏源导通电阻：0.006 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDS6688F011 数据手册

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June 2001  
PRELIMINARY  
FDS6688  
30V N-Channel PowerTrenchÒ MOSFET  
General Description  
Features  
This N-Channel MOSFET has been designed  
specifically to improve the overall efficiency of DC/DC  
converters using either synchronous or conventional  
switching PWM controllers. It has been optimized for  
“low side” synchronous rectifier operation, providing an  
extremely low RDS(ON) in a small package.  
· 16 A, 30 V. RDS(ON) = 6 mW @ VGS = 10 V  
RDS(ON) = 7 mW @ VGS = 4.5 V  
· Ultra-low gate charge (40 nC typical)  
· High performance trench technology for extremely  
Applications  
low RDS(ON)  
· DC/DC converter  
· High power and current handling capability  
D
5
6
7
8
4
3
2
1
D
D
D
G
SO-8  
S
S
S
Pin 1
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Ratings  
Units  
VDSS  
Drain-Source Voltage  
30  
V
VGSS  
ID  
Gate-Source Voltage  
±16  
V
A
Drain Current – Continuous  
– Pulsed  
(Note 1a)  
16  
50  
2.5  
PD  
Power Dissipation for Single Operation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
(Note 1c)  
W
1.4  
1.2  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
–55 to +175  
°C  
Thermal Characteristics  
RqJA  
RqJA  
RqJC  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
(Note 1a)  
(Note 1c)  
(Note 1)  
50  
125  
25  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
FDS6688  
FDS6688  
13’’  
12mm  
2500 units  
Ó2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDS6688 Rev B2(W)  
12345678

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与FDS6688F011相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDS6688L86Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 16A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
FDS6688S FAIRCHILD

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 		30V N-Channel PowerTrench SyncFET
FDS6688S_NL FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 16A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
FDS6689S FAIRCHILD

获取价格

 		30V N-Channel PowerTrench SyncFET
FDS6689S_NL FAIRCHILD

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 		暂无描述
FDS6690 FAIRCHILD

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 		Single N-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET
FDS6690A UMW

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 		种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:30V;持续漏极电流（Id）（在25°C时
FDS6690A_NBBM010A FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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