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FDS6685

更新时间： 2024-09-22 22:49:03
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
8页 206K
描述
P-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET

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FDS6685 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.34
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：8.8 A最大漏极电流 (ID)：8.8 A
最大漏源导通电阻：0.02 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2.5 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDS6685 数据手册

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March 1999  
PRELIMINARY  
FDS6685  
P-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET  
General Description  
Features  
This P-Channel Logic Level MOSFET is produced using  
Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench process  
that has been especially tailored to minimize on-state  
resistance and yet maintain superior switching  
performance.  
• -8.8 A, -30 V. RDS(ON) = 0.020 Ω @ VGS = -10 V  
RDS(ON) = 0.035 Ω @ VGS = -4.5 V  
• Extended VGSS range (±25V) for battery applications.  
• Low gate charge (19nC typical).  
These devices are well suited for low voltage and battery  
powered applications where low in-line power loss and  
fast switching are required.  
• Fast switching speed.  
• High performance trench technology for extremely  
Applications  
low RDS(ON)  
.
• Battery protection  
• Load switch  
• High power and current handling capability.  
• Motor drives  
D
5
6
7
8
4
D
D
D
3
2
1
G
S
S
SO-8  
S
Absolute Maximum Ratings TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Ratings  
Units  
VDSS  
VGSS  
ID  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
-30  
V
V
A
25  
±
Drain Current - Continuous  
- Pulsed  
-8.8  
(Note 1a)  
-50  
PD  
Power Dissipation for Single Operation  
2.5  
W
(Note 1a)  
(Note 1b)  
1.2  
1
(Note 1c)  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
C
°
TJ, Tstg  
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
50  
25  
Rθ  
(Note 1a)  
(Note 1)  
C/W  
C/W  
°
JA  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Rθ  
°
JC  
Package Outlines and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape Width  
Quantity  
FDS6685  
FDS6685  
13’’  
12mm  
2500 units  
1999 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDS6685 Rev. B  
12345678

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FDS6685 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FDS4435BZ ONSEMI

功能相似

 P 沟道，PowerTrench® MOSFET，-30V，-8.8A，20mΩ
TPS1100DR TI

功能相似

 TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 15V V(BR)DSS | 1.6A I(D) | SO
TPS1100D TI

功能相似

 SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

与FDS6685相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDS6685_NL FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 8.8A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
FDS6685F011 FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 8.8A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
FDS6685L86Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 8.8A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
FDS6685-NBCM003A ONSEMI

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 		P 沟道 PowerTrench® MOSFET -30V，-8.8A，20mΩ
FDS6688 FAIRCHILD

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FDS6688AS FAIRCHILD

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 		30V N-Channel PowerTrench® SyncFET™
FDS6688F011 FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 16A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
FDS6688L86Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 16A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
FDS6688S FAIRCHILD

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 		30V N-Channel PowerTrench SyncFET

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