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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOIC |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.78 |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 11.5 A | 最大漏极电流 (ID)： | 11.5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.011 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 2.5 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDS6681Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
30 Volt P-Channel PowerTrench MOSFET |
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| FDS6681Z | ONSEMI |
获取价格 |
P 沟道，PowerTrench® MOSFET，30V，-20A，4.6mΩ |
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| FDS6681Z | UMW |
获取价格 |
种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-30V;持续漏极电流（Id）（在25°C |
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| FDS6682 | FAIRCHILD |
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30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
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| FDS6682 | ONSEMI |
获取价格 |
30V N沟道PowerTrench® MOSFET |
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| FDS6682 | UMW |
获取价格 |
种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:30V;持续漏极电流（Id）（在25°C时 |
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| FDS6682_05 | FAIRCHILD |
获取价格 |
30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
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| FDS6682_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
暂无描述 |
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| FDS6682D84Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 14A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- |
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| FDS6682F011 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 14A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- |
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