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FDS6681Z

更新时间： 2024-11-12 11:15:11
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI PC开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 245K
描述
P 沟道，PowerTrench® MOSFET，30V，-20A，4.6mΩ

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FDS6681Z 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SO-8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：0.97Samacsys Confidence：3
Samacsys Status：ReleasedSamacsys PartID：167221
Samacsys Pin Count：8Samacsys Part Category：Integrated Circuit
Samacsys Package Category：Small Outline PackagesSamacsys Footprint Name：SO 8L NB (SOIC)
Samacsys Released Date：2015-04-13 16:43:29Is Samacsys：N
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：20 A最大漏极电流 (ID)：20 A
最大漏源导通电阻：0.0046 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e4
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2.5 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDS6681Z 数据手册

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DATA SHEET  
www.onsemi.com  
MOSFET – P-Channel,  
POWERTRENCH)  
V
R
MAX  
I
D MAX  
DSS  
DS(on)  
−30 V  
−20 A  
4.6 mW @ −10 V  
6.5 mW @ −4.5 V  
30 V  
P−Channel  
FDS6681Z  
General Description  
5
6
7
8
This P−Channel MOSFET is produced using onsemi’s advanced  
PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the  
on−state resistance.  
This device is well suited for Power Management and load  
switching applications common in Notebook Computers and Portable  
Battery Packs.  
4
3
2
1
Features  
• –20 A, –30 V  
D
D
♦ R  
♦ R  
= 4.6 mΩ @ V = –10 V  
DS(ON)  
GS  
D
= 6.5 mΩ @ V = –4.5 V  
D
DS(ON)  
GS  
• Extended V  
Range (–25 V) for Battery Applications  
GSS  
G
• HBM ESD Protection Level of 8 kV Typical (Note 3)  
• High Performance Trench Technology for Extremely Low R  
• High Power and Current Handling Capability  
• Termination is Lead−free and RoHS Compliant  
• This is a Pb−Free and Halide Free Device  
S
S
S
DS(ON)  
Pin 1  
SOIC8  
CASE 751EB  
MARKING DIAGRAM  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Symbol  
Parameter  
Drain−Source Voltage  
Ratings  
−30  
25  
Unit  
V
FDS6681Z  
ALYW  
V
DSS  
V
GSS  
Gate−Source Voltage  
V
I
Drain Current  
Continuous (Note 1a)  
Pulsed  
−20  
−105  
2.5  
A
D
FDS6681Z  
= Specific Device Code  
A
= Assembly Site  
P
Power Dissipation  
for Single Operation  
(Note 1a)  
W
D
L
YW  
= Wafer Lot Number  
= Assembly Start Week  
(Note 1b)  
1.2  
(Note 1c)  
1.0  
T ,  
STG  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
−55 to +150 °C  
J
ORDERING INFORMATION  
T
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
†
Device  
FDS6681Z  
Package  
Shipping  
SOIC8  
2500 /  
(Pb−Free)  
Tape & Reel  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifica-  
tions Brochure, BRD8011/D.  
R
Thermal Resistance,  
Junction−to−Ambient  
50  
_C/W  
q
JA  
(Note 1a)  
(Note 1)  
R
Thermal Resistance,  
Junction−to−Case  
25  
_C/W  
q
JC  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2022  
1
Publication Order Number:  
November, 2022 − Rev.3  
FDS6681Z/D  
1234567

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FDS6681Z 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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