5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > FDS6680AF011
FDS6680AF011 PDF预览

FDS6680AF011

更新时间： 2024-09-23 19:51:03
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 271K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 12.5A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOIC-8

阅读下载

中文翻译

获取价格

FDS6680AF011 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.31配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (ID)：12.5 A
最大漏源导通电阻：0.0095 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDS6680AF011 数据手册

 浏览型号FDS6680AF011的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FDS6680AF011的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FDS6680AF011的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FDS6680AF011的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FDS6680AF011的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FDS6680AF011的Datasheet PDF文件第7页 
October 2001  
FDS6680A  
Single N-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET  
GeneralDescription  
Features  
This N-Channel Logic Level MOSFET is produced  
using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench  
process that has been especially tailored to minimize  
the on-state resistance and yet maintain superior  
switching performance.  
These devices are well suited for low voltage and battery  
powered applications where low in-line power loss and  
fast switching are required.  
12.5 A, 30 V. RDS(ON) = 0.0095 W @ VGS = 10 V  
DS(ON) = 0.013 W @ VGS = 4.5 V.  
R
Fast switching speed.  
Low gate charge.  
High performance trench technology for  
extremely low RDS(ON)  
.
High power and current handling capability.  
SuperSOTTM-6  
SO-8  
SOT-223  
SuperSOTTM-8  
SOIC-16  
SOT-23  
5
6
4
3
2
1
D
D
D
D
7
8
G
S
1
S
pin  
SO-8  
S
Absolute Maximum Ratings TA = 25oC unless other wise noted  
Symbol  
VDSS  
VGSS  
ID  
Parameter  
FDS6680A  
Units  
V
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Drain Current - Continuous  
- Pulsed  
30  
±20  
V
(Note 1a)  
(Note 1a)  
12.5  
50  
A
PD  
Power Dissipation for Single Operation  
2.5  
W
(Note 1b)  
(Note 1c)  
1.2  
1
TJ,TSTG  
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to 150  
°C  
THERMAL CHARACTERISTICS  
RqJA  
RqJC  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (Note 1a)  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
50  
25  
°C/W  
°C/W  
(Note 1)  
FDS6680A Rev.E  
© 2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
12345678

中文翻译

下载PDF

与FDS6680AF011相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDS6680A-NBBI005A ONSEMI

获取价格

 		单 N 沟道，逻辑电平，PowerTrench® MOSFET，30V，12.5A，9.5
FDS6680AS FAIRCHILD

获取价格

 		30V N-Channel PowerTrench SyncFET
FDS6680AS ONSEMI

获取价格

 		N 沟道 PowerTrench® SyncFET™，30V，11.5A，10.0mΩ
FDS6680AS_08 FAIRCHILD

获取价格

 		30V N-Channel PowerTrench SyncFET
FDS6680AS_NL FAIRCHILD

获取价格

 		30V N-Channel PowerTrench SyncFET
FDS6680D84Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 11.5A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
FDS6680L86Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 11.5A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
FDS6680S FAIRCHILD

获取价格

 		30V N-Channel PowerTrench SyncFET⑩
FDS6681Z FAIRCHILD

获取价格

 		30 Volt P-Channel PowerTrench MOSFET
FDS6681Z ONSEMI

获取价格

 		P 沟道，PowerTrench® MOSFET，30V，-20A，4.6mΩ

与FDS6680AF011相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证