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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOT |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.69 | 雪崩能效等级（Eas）： | 20 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 16 A | 最大漏极电流 (ID)： | 16 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0094 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 4.45 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 50 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SI4682DY-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 30V, 0.0094ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| SI4683 | SILICON |
获取价格 |
EVALUATION BOARD TEST PROCEDURE |
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| SI4684 | SILICON |
获取价格 |
EVALUATION BOARD TEST PROCEDURE |
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| SI4684-A10-GM | SILICON |
获取价格 |
Consumer Circuit, CMOS, QFN-48 |
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| SI4684-A10-GMR | SILICON |
获取价格 |
Consumer Circuit, CMOS, 7 X 7 MM, LEAD FREE, MO-220, QFN-48 |
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| Si4684-A10-Gx | SILICON |
获取价格 |
Silicon Labs is updating the Si4682/4/8 datasheets |
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| SI4684DY | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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| SI4684DY_06 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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| SI4684DY-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| SI4684DY-RC |
获取价格 |
R-C Thermal Model Parameters |
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