5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | SOT | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.31 |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 25 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 18.6 A | 最大漏源导通电阻： | 0.004 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 8 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SI4660DY-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 25V 17.2A 8-Pin SOIC N T/R |
|
| SI4662DY-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
TRANSISTOR SMALL SIGNAL, FET, FET General Purpose Small Signal |
|
| SI4666DY | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 25 V (D-S) MOSFET |
|
| SI4666DY-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 25 V (D-S) MOSFET |
|
| SI4668DY-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, |
|
| SI4670DY | VISHAY |
获取价格 |
Dual N-Channel 25-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
|
| SI4670DY_RC | VISHAY |
获取价格 |
R-C Thermal Model Parameters |
|
| SI4670DY-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Dual N-Channel 25-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
|
| SI4670DY-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
Dual N-Channel 25-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
|
| SI4682 | SILICON |
获取价格 |
EVALUATION BOARD TEST PROCEDURE |
|
BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
解读EGP10B二极管资料手册：产品特性、参数分析
RT9164AGG手册资料详解：引脚信息、设计指南
2SA1037KPT资料详解：产品特性、电气参数、设计指南
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
