生命周期: | Obsolete | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.84 |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 30 V |
最大漏极电流 (ID): | 18.6 A | 最大漏源导通电阻: | 0.01 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 8 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
表面贴装: | YES | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SI4666DY | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 25 V (D-S) MOSFET | |
SI4666DY-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 25 V (D-S) MOSFET | |
SI4668DY-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, | |
SI4670DY | VISHAY |
获取价格 |
Dual N-Channel 25-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode | |
SI4670DY_RC | VISHAY |
获取价格 |
R-C Thermal Model Parameters | |
SI4670DY-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Dual N-Channel 25-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode | |
SI4670DY-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
Dual N-Channel 25-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode | |
SI4682 | SILICON |
获取价格 |
EVALUATION BOARD TEST PROCEDURE | |
SI4682-A10-GD | SILICON |
获取价格 |
Consumer Circuit, CMOS, PBGA62, WLCSP-62 | |
SI4682-A10-GDR | SILICON |
获取价格 |
Consumer Circuit, CMOS, PBGA62, 3.70 X 3.20 MM, LEAD FREE, WLCSP-62 |