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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> SI4666DY-T1-GE3
SI4666DY-T1-GE3 PDF预览

SI4666DY-T1-GE3

更新时间： 2024-11-02 09:26:03
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
10页 261K
描述
N-Channel 25 V (D-S) MOSFET

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SI4666DY-T1-GE3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：7.35
Samacsys Confidence：4Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：403455Samacsys Pin Count：8
Samacsys Part Category：TransistorSamacsys Package Category：Small Outline Packages
Samacsys Footprint Name：SOIC (NARROW): 8-LEADSamacsys Released Date：2017-08-19 06:23:45
Is Samacsys：N配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：25 V最大漏极电流 (ID)：16.5 A
最大漏源导通电阻：0.01 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：PURE MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI4666DY-T1-GE3 数据手册

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Si4666DY  
Vishay Siliconix  
N-Channel 25 V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
Qg (Typ.)  
I
D (A)a  
Definition  
0.010 at VGS = 10 V  
0.011 at VGS = 4.5 V  
0.014 at VGS = 2.5 V  
16.5  
•
•
•
TrenchFET® Power MOSFET  
100 % Rg and UIS Tested  
25  
15.8  
14  
10.7 nC  
Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
APPLICATIONS  
•
Synchronous Buck Converter  
•
DC/DC Converter  
SO-8  
D
D
S
1
2
3
4
8
7
6
5
D
D
D
S
S
G
G
Top View  
S
N-Channel MOSFET  
Ordering Information: Si4666DY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
Limit  
25  
12  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
V
VGS  
TC = 25 °C  
C = 70 °C  
16.5  
T
9.3  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
ID  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
11.5b,c  
9.4b,c  
40  
A
Pulsed Drain Current  
IDM  
IS  
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
4.5  
2.3b,c  
Continuous Source-Drain Diode Current  
Single Pulse Avalanche Current  
Avalanche Energy  
IAS  
15  
L = 0.1 mH  
EAS  
11.25  
5
mJ  
W
TC = 25 °C  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
3.2  
Maximum Power Dissipation  
PD  
2.50b,c  
1.6b,c  
- 55 to 150  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Maximum Junction-to-Ambientb, d  
Symbol  
RthJA  
Typical  
Maximum  
Unit  
t ≤ 10 s  
38  
20  
50  
25  
°C/W  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
Steady State  
RthJF  
Notes:  
a. Based on TC = 25 °C.  
b. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.  
c. t = 10 s.  
d. Maximum under steady state conditions is 85 °C/W.  
Document Number: 66587  
S10-1044-Rev. A, 03-May-10  
www.vishay.com  
1
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与SI4666DY-T1-GE3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI4668DY-T1-GE3 VISHAY

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 		Small Signal Field-Effect Transistor,
SI4670DY VISHAY

获取价格

 		Dual N-Channel 25-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
SI4670DY_RC VISHAY

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 		R-C Thermal Model Parameters
SI4670DY-T1-E3 VISHAY

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 		Dual N-Channel 25-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
SI4670DY-T1-GE3 VISHAY

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 		Dual N-Channel 25-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
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