Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> SI4666DY-T1-GE3

SI4666DY-T1-GE3

更新时间： 2024-02-29 10:53:28

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管 PC
页数	文件大小	规格书
10页	261K
描述
N-Channel 25 V (D-S) MOSFET

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SI4666DY-T1-GE3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	SOT	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：	8	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	7.35
Samacsys Confidence：	4	Samacsys Status：	Released
Samacsys PartID：	403455	Samacsys Pin Count：	8
Samacsys Part Category：	Transistor	Samacsys Package Category：	Small Outline Packages
Samacsys Footprint Name：	SOIC (NARROW): 8-LEAD	Samacsys Released Date：	2017-08-19 06:23:45
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	25 V	最大漏极电流 (ID)：	16.5 A
最大漏源导通电阻：	0.01 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	PURE MATTE TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SI4666DY-T1-GE3 数据手册

Si4666DY

Vishay Siliconix

N-Channel 25 V (D-S) MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

•

Halogen-free According to IEC 61249-2-21

V_DS(V)

R_DS(on)(Ω)

Q_g(Typ.)

_D(A)^a

Definition

0.010 at V_GS= 10 V

0.011 at V_GS= 4.5 V

0.014 at V_GS= 2.5 V

16.5

•

TrenchFET^®Power MOSFET

100 % R_gand UIS Tested

15.8

10.7 nC

Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

APPLICATIONS

•

Synchronous Buck Converter

•

DC/DC Converter

SO-8

Top View

N-Channel MOSFET

Ordering Information: Si4666DY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

T_C= 25 °C

_C= 70 °C

16.5

9.3

Continuous Drain Current (T_J= 150 °C)

I_D

T_A= 25 °C

T_A= 70 °C

11.5^b,c

9.4^b,c

Pulsed Drain Current

I_DM

I_S

T_C= 25 °C

T_A= 25 °C

4.5

2.3^b,c

Continuous Source-Drain Diode Current

Single Pulse Avalanche Current

Avalanche Energy

I_AS

L = 0.1 mH

E_AS

11.25

T_C= 25 °C

T_C= 70 °C

T_A= 25 °C

T_A= 70 °C

3.2

Maximum Power Dissipation

P_D

2.50^b,c

1.6^b,c

- 55 to 150

T_J, T_stg

Operating Junction and Storage Temperature Range

°C

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Maximum Junction-to-Ambient^{b, d}

Symbol

R_thJA

Typical

Maximum

Unit

t ≤ 10 s

°C/W

Maximum Junction-to-Foot (Drain)

Steady State

R_thJF

Notes:

a. Based on T_C= 25 °C.

b. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.

c. t = 10 s.

d. Maximum under steady state conditions is 85 °C/W.

Document Number: 66587

S10-1044-Rev. A, 03-May-10

www.vishay.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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SI4670DY	VISHAY	获取价格	Dual N-Channel 25-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
SI4670DY_RC	VISHAY	获取价格	R-C Thermal Model Parameters
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