是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Transferred |
零件包装代码: | SOT | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 |
针数: | 8 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.19 |
Is Samacsys: | N | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 30 V | 最大漏极电流 (ID): | 16.3 A |
最大漏源导通电阻: | 0.0052 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 8 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 70 A | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | YES | 端子面层: | MATTE TIN |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
SI4634DY-T1-GE3 | VISHAY |
完全替代 |
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SI4634DY-T1-GE3 | VISHAY |
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N-Channel 30-V (D-S) MOSFET | |
SI4636DY-T1-E3 | VISHAY |
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TRANSISTOR 17 A, 30 V, 0.0085 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, SOP-8, FE | |
SI4636DY-T1-GE3 | VISHAY |
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N-CH 30-V (D-S) MOSFET W/SCHOTTKY DIODE - Tape and Reel | |
Si4638-A10-GM | SILICON |
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Silicon Labs is updating the Si4682/4/8 data sheets | |
SI4638CDY-T1-E3 | VISHAY |
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TRANSISTOR 16000 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPLIANT, SOP-8, FET | |
SI4642DY | VISHAY |
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N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode | |
SI4642DY-T1-E3 | VISHAY |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 34A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- | |
SI4642DY-T1-GE3 | VISHAY |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Silicon, ROHS COMPLIANT, SO-8 | |
SI4646DY-T1-E3 | VISHAY |
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MOSFET N-CH 30V 12A 8SOIC | |
SI4646DY-T1-GE3 | VISHAY |
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MOSFET N-CH 30V 12A 8SOIC |