5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > SI4642DY-T1-E3
SI4642DY-T1-E3 PDF预览

SI4642DY-T1-E3

更新时间： 2024-11-02 21:16:27
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 257K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 34A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, MS-012, SOIC-8

阅读下载

中文翻译

获取价格

SI4642DY-T1-E3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.74
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：34 A最大漏极电流 (ID)：34 A
最大漏源导通电阻：0.00375 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：MS-012AAJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：7.8 W
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI4642DY-T1-E3 数据手册

 浏览型号SI4642DY-T1-E3的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SI4642DY-T1-E3的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SI4642DY-T1-E3的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SI4642DY-T1-E3的Datasheet PDF文件第5页浏览型号SI4642DY-T1-E3的Datasheet PDF文件第6页浏览型号SI4642DY-T1-E3的Datasheet PDF文件第7页 
Si4642DY  
Vishay Siliconix  
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
ID (A)a  
Qg (Typ.)  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
Available  
0.00375 at VGS = 10 V  
0.0047 at VGS = 4.5 V  
34  
30  
30  
35.7 nC  
•
SkyFET® Monolithic TrenchFET® Power  
MOSFET and Schottky Diode  
• 100 % Rg and UIS Tested  
APPLICATIONS  
• Notebook CPU Core  
• Buck Converter  
• Synchronous Rectifier Switch  
SO-8  
S
D
D
D
D
1
2
3
4
8
7
6
5
D
S
S
G
Schottky Diode  
G
Top View  
N-Channel MOSFET  
Ordering Information:  
Si4642DY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si4642DY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
S
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
Limit  
30  
Unit  
VDS  
VGS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
20  
T
C = 25 °C  
TC = 70 °C  
A = 25 °C  
34  
27  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
ID  
22.7b, c  
18b, c  
70  
T
TA = 70 °C  
A
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current  
TC = 25 °C  
T
7
Continuous Source-Drain Diode Current  
3.1b, c  
A = 25 °C  
IAS  
Single Pulse Avalanche Current  
Single Pulse Avalanche Energy  
45  
L = 0.1 mH  
EAS  
101  
7.8  
5
3.5b, c  
2.2b, c  
mJ  
W
TC = 25 °C  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
PD  
Maximum Power Dissipation  
TJ, Tstg  
°C  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
- 55 to 150  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Maximum Junction-to-Ambientb, d  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
Symbol  
RthJA  
RthJF  
Typ.  
29  
Max.  
35  
Unit  
t ≤ 10 s  
Steady State  
°C/W  
13  
16  
Notes:  
a. Based on TC = 25 °C.  
b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
c. t = 10 s.  
d. Maximum under Steady State conditions is 80 °C/W.  
Document Number: 74430  
S09-0138-Rev. B, 02-Feb-09  
www.vishay.com  
1
1234567...11

中文翻译

下载PDF

SI4642DY-T1-E3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SI4628DY-T1-GE3 VISHAY

功能相似

 N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode

与SI4642DY-T1-E3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI4642DY-T1-GE3 VISHAY

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Silicon, ROHS COMPLIANT, SO-8
SI4646DY-T1-E3 VISHAY

获取价格

 		MOSFET N-CH 30V 12A 8SOIC
SI4646DY-T1-GE3 VISHAY

获取价格

 		MOSFET N-CH 30V 12A 8SOIC
SI4652DY-T1-E3 VISHAY

获取价格

 		TRANSISTOR 21.5 A, 25 V, 0.0035 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, SOP-8,
SI4652DY-T1-GE3 VISHAY

获取价格

 		TRANSISTOR SMALL SIGNAL, FET, FET General Purpose Small Signal
SI4654DY VISHAY

获取价格

 		N-Channel 25-V (D-S) MOSFET
SI4654DY-T1-E3 VISHAY

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 18.6A I(D), 25V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
SI4654DY-T1-GE3 VISHAY

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 18.6A I(D), 25V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
SI4660DY-T1-GE3 VISHAY

获取价格

 		Trans MOSFET N-CH 25V 17.2A 8-Pin SOIC N T/R
SI4662DY-T1-GE3 VISHAY

获取价格

 		TRANSISTOR SMALL SIGNAL, FET, FET General Purpose Small Signal

与SI4642DY-T1-E3相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证