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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | SOT | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 7.95 |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 25.4 A | 最大漏源导通电阻： | 0.003 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 8 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | PURE MATTE TIN |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SI4630DY | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 25-V (D-S) MOSFET |
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| SI4630DY-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 25-V (D-S) MOSFET |
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| SI4630DY-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 25-V (D-S) MOSFET |
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| Si4632-A10-GM | SILICON |
获取价格 |
Silicon Labs is updating the Si4682/4/8 data sheets |
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| SI4632DY-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
TRANSISTOR 27 A, 25 V, 0.0033 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, SO-8, FET |
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| SI4632DY-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
TRANSISTOR SMALL SIGNAL, FET, FET General Purpose Small Signal |
|
| Si4634-A10-GM | SILICON |
获取价格 |
Silicon Labs is updating the Si4682/4/8 data sheets |
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| SI4634DY | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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| SI4634DY (KI4634DY) | KEXIN |
获取价格 |
N-Channel MOSFET |
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| SI4634DY-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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