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SI4636DY-T1-GE3 PDF预览

SI4636DY-T1-GE3

更新时间： 2024-09-28 19:56:11
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 94K
描述
N-CH 30-V (D-S) MOSFET W/SCHOTTKY DIODE - Tape and Reel

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SI4636DY-T1-GE3 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.83
雪崩能效等级（Eas）：20 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (ID)：17 A
最大漏源导通电阻：0.0085 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：60 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：PURE MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI4636DY-T1-GE3 数据手册

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Si4636DY  
Vishay Siliconix  
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
ID (A)a  
Qg (Typ.)  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
Available  
0.0085 at VGS = 10 V  
0.0105 at VGS = 4.5 V  
17  
30  
18.8 nC  
•
•
TrenchFET® Power MOSFET  
100 % Rg and UIS Tested  
15.6  
SCHOTTKY AND BODY DIODE PRODUCT  
SUMMARY  
APPLICATIONS  
•
Notebook Logic DC/DC  
- Low Side  
I
S (A)  
V
SD (V)  
VDS (V)  
30  
0.4 at 2 A  
5a  
SO-8  
D
S
S
S
G
D
D
D
D
1
2
3
4
8
7
6
5
Schottky Diode  
G
Top View  
N-Channel MOSFET  
Ordering Information: Si4636DY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si4636DY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
S
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
Limit  
30  
Unit  
VDS  
VGS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
16  
T
C = 25 °C  
TC = 70 °C  
A = 25 °C  
17.0  
13.5  
12.7b, c  
10.2b, c  
60  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
ID  
T
TA = 70 °C  
A
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current  
TC = 25 °C  
T
5.0  
2.3b, c  
Continuous Source-Drain Diode Current  
A = 25 °C  
IAS  
20  
Single Pulse Avalanche Current  
Single Pulse Avalanche Energy  
L = 0.1 mH  
EAS  
20  
4.4  
2.8  
2.5b, c  
1.6b, c  
mJ  
W
TC = 25 °C  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
Maximum Power Dissipation  
PD  
TJ, Tstg  
°C  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
- 55 to 150  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Maximum Junction-to-Ambientb, d  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
Symbol  
RthJA  
Typ.  
40  
Max.  
50  
Unit  
t ≤ 10 s  
Steady State  
°C/W  
RthJF  
23  
28  
Notes:  
a. Based on TC = 25 °C.  
b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
c. t = 10 s.  
d. Maximum under Steady State conditions is 90 °C/W.  
Document Number: 74961  
S09-0394-Rev. C, 09-Mar-09  
www.vishay.com  
1
1234567

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SI4636DY-T1-GE3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SI4322DY-T1-E3 VISHAY

类似代替

 Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

与SI4636DY-T1-GE3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
Si4638-A10-GM SILICON

获取价格

 		Silicon Labs is updating the Si4682/4/8 data sheets
SI4638CDY-T1-E3 VISHAY

获取价格

 		TRANSISTOR 16000 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPLIANT, SOP-8, FET
SI4642DY VISHAY

获取价格

 		N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
SI4642DY-T1-E3 VISHAY

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 34A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
SI4642DY-T1-GE3 VISHAY

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Silicon, ROHS COMPLIANT, SO-8
SI4646DY-T1-E3 VISHAY

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 		MOSFET N-CH 30V 12A 8SOIC
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 		MOSFET N-CH 30V 12A 8SOIC
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 		TRANSISTOR 21.5 A, 25 V, 0.0035 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, SOP-8,
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 		TRANSISTOR SMALL SIGNAL, FET, FET General Purpose Small Signal
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 		N-Channel 25-V (D-S) MOSFET

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