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SI4322DY-T1-E3

更新时间： 2024-09-28 19:51:35
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
7页 124K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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SI4322DY-T1-E3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.83配置：Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：18 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：5.4 W
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
Base Number Matches：1

SI4322DY-T1-E3 数据手册

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Si4322DY  
Vishay Siliconix  
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
Available  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
Qg (Typ.)  
I
D (A)a  
• TrenchFET® Power MOSFET  
• 100 % Rg Tested  
0.0085 at VGS = 10 V  
0.0125 at VGS = 4.5 V  
18  
15  
30  
11.7 nC  
APPLICATIONS  
SCHOTTKY AND BODY DIODE PRODUCT  
SUMMARY  
•
Synchronous Buck-Low Side  
- Notebook  
VSD (V)  
- Server  
- Workstation  
• Synchronous Rectifier-POL  
VDS (V)  
Diode Forward Voltage  
I
S (A)  
5a  
30  
0.4 at 2 A  
SO-8  
D
S
S
S
G
D
D
D
D
1
2
3
4
8
7
6
5
Schottky Diode  
G
Top View  
N-Channel MOSFET  
Ordering Information: Si4322DY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si4322DY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
S
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
Limit  
30  
Unit  
VDS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
VGS  
20  
TC = 25 °C  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
18  
15  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
ID  
14b, c  
11b, c  
50  
A
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current  
TC = 25 °C  
5
Continuous Source-Drain Diode Current  
2.8b, c  
5.4  
TA = 25 °C  
TC = 25 °C  
TC = 70 °C  
3.4  
Maximum Power Dissipation  
PD  
W
3.1b, c  
2.0b, c  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
- 55 to 150  
°C  
Parameter  
Maximum Junction-to-Ambientb, d  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
Symbol  
RthJA  
RthJF  
Typ.  
34  
Max.  
40  
Unit  
t ≤ 10 s  
Steady State  
°C/W  
17  
23  
Notes:  
a. Based on TC = 25 °C.  
b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
c. t = 10 s.  
d. Maximum under Steady State conditions is 85 °C/W.  
Document Number: 73860  
S09-0226-Rev. B, 09-Feb-09  
www.vishay.com  
1
1234567

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SI4322DY-T1-E3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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