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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SOT | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.82 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 80 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 36 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 24 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0032 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 8 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 7.8 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 70 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SI4324DY-T1-GE3 | VISHAY |
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Small Signal Field-Effect Transistor |
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| SI4330 | ETC |
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WIRELESS PRODUCT SELECTOR GUIDE |
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| SI4330-B1 | SILICON |
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Si4330 ISM RECEIVER |
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| SI4330-B1-FM | SILICON |
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暂无描述 |
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| SI4330-B1-FMR | SILICON |
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Si4330 ISM RECEIVER |
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| SI4330DY | VISHAY |
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Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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| SI4330DY-E3 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| SI4330DY-T1-E3 | VISHAY |
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Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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| SI4334DY-T1-E3 | VISHAY |
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TRANSISTOR 11.3 A, 30 V, 0.0135 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, SOP-8, |
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| SI4336DY | VISHAY |
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N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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