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Datasheet > SI4340CDY-T1-GE3
SI4340CDY-T1-GE3 PDF预览

SI4340CDY-T1-GE3

更新时间： 2024-09-28 20:04:55
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
15页 1204K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

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SI4340CDY-T1-GE3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.84最大漏极电流 (Abs) (ID)：20 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最高工作温度：150 °C
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
子类别：FET General Purpose Powers表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)处于峰值回流温度下的最长时间：30
Base Number Matches：1

SI4340CDY-T1-GE3 数据手册

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Si4340CDY  
Vishay Siliconix  
Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
Definition  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
Qg (Typ.)  
I
D (A)a  
14.1  
12.2  
20  
0.0094 at VGS = 10 V  
0.0125 at VGS = 4.5 V  
0.008 at VGS = 10 V  
0.0095 at VGS = 4.5 V  
•
•
•
•
TrenchFET® Power MOSFET  
100 % Rg Tested  
Channel-1  
Channel-2  
20  
9.6  
20  
14.1  
100 % UIS Tested  
18.9  
Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
SCHOTTKY PRODUCT SUMMARY  
APPLICATIONS  
VDS (V)  
VSD (V) Diode Forward Voltage  
IF (A)  
•
DC/DC Converters  
20  
0.55 V at 2.5 A  
2
- Game Stations  
SO-14  
- Notebook PC Logic  
D
2
D
1
D
S
S
1
2
3
4
5
6
7
14  
13  
12  
11  
10  
9
1
1
1
2
2
2
2
1
D
G
G
S
S
S
1
D
D
D
D
D
2
2
2
2
2
Schottky Diode  
G
G
1
2
8
S
2
Top View  
S
1
Ordering Information: Si4340CDY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si4340CDY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
N-Channel 2  
MOSFET  
N-Channel 1  
MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
Channel-1  
Channel-2  
20  
16  
Unit  
VDS  
20  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
VGS  
20  
TC = 25 °C  
TC = 70 °C  
14.1  
20  
11.2  
16.5  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
ID  
11.5b, c  
9.2b, c  
40  
15.2b, c  
12.2b, c  
50  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
A
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current  
TC = 25 °C  
2.5  
1.7b, c  
4.5  
2.5b, c  
Source-Drain Current Diode Current  
TA = 25 °C  
IAS  
5
Single Pulse Avalanche Current  
Single Pulse Avalanche Energy  
L = 0.1 mH  
EAS  
1.25  
mJ  
W
T
C = 25 °C  
C = 70 °C  
3
5.4  
3.5  
3b, c  
1.9b, c  
T
1.9  
PD  
Maximum Power Dissipation  
2b, c  
1.3b, c  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
- 55 to 150  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Channel-1  
Typ. Max.  
Channel-2  
Typ. Max.  
35 42  
18 23  
Parameter  
Maximum Junction-to-Ambientb, d  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
Symbol  
RthJA  
Unit  
t ≤ 10 s  
53  
35  
62.5  
42  
°C/W  
Steady State  
RthJF  
Notes:  
a. Based on TC = 25 °C.  
b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
c. t = 10 s.  
d. Maximum under Steady State conditions for channel 1 is 110 °C/W and channel 2 is 87 °C/W.  
Document Number: 68398  
S09-2436-Rev. C, 16-Nov-09  
www.vishay.com  
1
1234567...15

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与SI4340CDY-T1-GE3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI4340DDY VISHAY

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 		Dual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
SI4340DDY-T1-GE3 VISHAY

获取价格

 		Dual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
SI4340DY VISHAY

获取价格

 		Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
SI4340DY-E3 VISHAY

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 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SI4340DY-T1 VISHAY

获取价格

 		Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
SI4340DY-T1-GE3 VISHAY

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 		Small Signal Field-Effect Transistor,
SI4346DY VISHAY

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 		N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4346DY-E3 VISHAY

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 		N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4346DYT1 VISHAY

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 5.9A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
SI4346DY-T1-E3 VISHAY

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 		N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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