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SI4356DY-E3

更新时间： 2024-02-07 18:01:12

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威世 - VISHAY		/
页数	文件大小	规格书
6页	50K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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SI4356DY-E3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.82	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	12 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	3 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	Base Number Matches：	1

SI4356DY-E3 数据手册

Si4356DY

Vishay Siliconix

New Product

N-Channel 30-V MOSFET

FEATURES

D TrenchFETr Power MOSFETS

D Optimized for Low-Side Synchronous

Rectifier Operation

D 100 % R_GTested

APPLICATIONS

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

0.006 @ V = 10 V

0.0075 @ V = 4.5 V

D Buck Converter

D Synchronous Rectifier

- Secondary Rectifier

SO-8

Top View

N-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

10 secs

Steady State

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

"12

= 25_C

= 70_C

Continuous Drain Current (T = 150__C)

Pulsed Drain Current

"50

Continuous Source Current (Diode Conduction)

2.7

3.0

2.0

1.40

1.6

= 25_C

= 70_C

Maximum Power Dissipation

1.0

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

-55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

t v 10 sec

Steady State

Maximum Junction-to-Ambient (MOSFET)

thJA

_C/W

Maximum Junction-to-Foot (Drain)

thJF

Notes

a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.

Document Number: 71880

S-03662—Rev. B, 14-Apr-03

www.vishay.com

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