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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SI4376DY-T1
SI4376DY-T1 PDF预览

SI4376DY-T1

更新时间： 2024-09-27 09:26:07
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体肖特基二极管晶体管功率场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 117K
描述
Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode

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SI4376DY-T1 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.92Is Samacsys：N
最大漏极电流 (Abs) (ID)：5.7 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：e0工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2 W子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：1

SI4376DY-T1 数据手册

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Si4376DY  
Vishay Siliconix  
Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode  
PRODUCT SUMMARY  
FEATURES  
VDS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)  
D LITTLE FOOTr Plus Schottky  
D Si4830DY Pin Compatible  
D PWM Optimized  
0.020 @ V = 10 V  
GS  
7.5  
6.5  
7.5  
6.5  
Channel-1  
Channel-2  
0.0275 @ V = 4.5 V  
GS  
30  
D 100% Rg Tested  
0.019 @ V = 10 V  
GS  
0.023 @ V = 4.5 V  
GS  
APPLICATIONS  
D Asymmetrical Buck-Boost DC/DC Converter  
SCHOTTKY PRODUCT SUMMARY  
VSD (V)  
Diode Forward Voltage  
VDS (V)  
IF (A)  
30  
0.50 V @ 1.0 A  
2.0  
D
1
D
2
SO-8  
S
G
S
D
1
D
1
D
2
D
2
1
2
3
4
8
7
6
5
1
1
2
2
Schottky Diode  
G
1
G
2
G
Top View  
S
1
S
2
Ordering Information: Si4376DY  
Si4376DY-T1 (with Tape and Reel)  
N-Channel MOSFET  
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
10 secs  
Steady State  
Channel-1 Channel-2 Channel-1 Channel-2  
Parameter  
Symbol  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
30  
DS  
V
V
GS  
"20  
"12  
"20  
"12  
T
= 25_C  
= 70_C  
7.5  
6.0  
5.7  
4.6  
A
a
Continuous Drain Current (T = 150_C)  
I
J
D
T
A
A
Pulsed Drain Current  
I
30  
DM  
a
Continuous Source Current (Diode Conduction)  
I
1.7  
2.0  
1.3  
0.9  
1.1  
0.7  
S
T
A
= 25_C  
= 70_C  
a
Maximum Power Dissipation  
P
W
D
T
A
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
-55 to 150  
_C  
J
stg  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
MOSFET  
Schottky  
Typ  
Max  
Typ  
Max  
Parameter  
Symbol  
Unit  
t v 10 sec  
52  
93  
35  
62.5  
110  
40  
53  
93  
35  
62.5  
110  
40  
a
Maximum Junction-to-Ambient  
R
thJA  
thJF  
Steady-State  
Steady-State  
_C/W  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
R
Notes  
a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.  
Document Number: 71934  
S-31726—Rev. C, 18-Aug-03  
www.vishay.com  
1
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