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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SOT |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.76 | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 13 A | 最大漏极电流 (ID)： | 13 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0062 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-F8 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 3.5 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 50 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SI4384DY-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 10A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- |
|
| SI4386DY | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET |
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| SI4386DY_17 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET |
|
| SI4386DY-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| SI4386DY-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC N T/R |
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| SI4386DY-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
N-CH REDUCED QG, FAST SWITCHING MOSFET - Tape and Reel |
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| SI4390DY | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel Qg, Fast Switching WFET |
|
| SI4390DY-T1 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel Qg, Fast Switching WFET |
|
| SI4390DY-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 8.5A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| SI4390DY-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 8.5A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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