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SI4401BDY-T1-GE3 PDF预览

SI4401BDY-T1-GE3

更新时间： 2024-01-28 00:50:38
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 186K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 8.7A I(D), 40V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, SOP-8

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SI4401BDY-T1-GE3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：7.08
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：40 V
最大漏极电流 (ID)：8.7 A最大漏源导通电阻：0.014 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：P-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI4401BDY-T1-GE3 数据手册

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Si4401BDY  
Vishay Siliconix  
P-Channel 40-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
ID (A)  
- 10.5  
- 8.7  
Qg (Typ.)  
Definition  
0.014 at VGS = - 10 V  
0.021 at VGS = - 4.5 V  
•
•
•
TrenchFET® Power MOSFET  
100 % Rg Tested  
- 40  
40  
Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
SO-8  
S
S
S
G
1
2
3
4
8
7
6
5
D
D
S
D
D
G
Top View  
D
Ordering Information:  
Si4401BDY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si4401BDY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
P-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
10 s  
Steady State  
- 40  
Unit  
VDS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
VGS  
20  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
- 10.5  
- 8.3  
- 8.7  
- 5.9  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)a  
ID  
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current  
- 50  
A
Continuous Source Current (Diode Conduction)a  
Avalanche Current  
- 2.6  
- 1.36  
IAS  
EAS  
30  
45  
L = 1 mH  
Single Pulse Avalanche Energy  
mJ  
W
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
2.9  
1.5  
Maximum Power Dissipationa  
PD  
1.85  
0.95  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
- 55 to 150  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
36  
Maximum  
Unit  
t ≤ 10 s  
43  
84  
21  
Maximum Junction-to-Ambienta  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
RthJA  
Steady State  
Steady State  
70  
°C/W  
RthJF  
16  
Notes:  
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
Document Number: 73140  
S09-0866-Rev. D, 18-May-09  
www.vishay.com  
1
12345678

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SI4401BDY-T1-GE3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SI4401BDY-T1-E3 VISHAY

类似代替

 Small Signal Field-Effect Transistor, 8.7A I(D), 40V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI4401DDY VISHAY

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 		P-Channel 40 V (D-S) MOSFET
SI4401DY VISHAY

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 		P-Channel 40-V (D-S) MOSFET
SI4401DY-T1-E3 VISHAY

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 		TRANSISTOR 8700 mA, 40 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPLIANT, SO-8, FET G
Si4401FDY VISHAY

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 		P-Channel 40 V (D-S) MOSFET
SI4402DY VISHAY

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 		Power Field-Effect Transistor, SOP-8
SI4403BD VISHAY

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 		P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
SI4403BDY-T1 VISHAY

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