SI4403BD

更新时间： 2024-01-26 01:53:11

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描述
P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET

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SI4403BD 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.88
Is Samacsys：	N	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	6.5 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：	e0	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	2.5 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

SI4403BD 数据手册

Si4403BDY

Vishay Siliconix

P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

•

Halogen-free According to IEC 61249-2-21

Definition

• TrenchFET^®Power MOSFETs

Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

V_DS(V)

R_DS(on)(Ω)

I_D(A)

- 9.9

- 8.5

- 7.2

0.017 at V_GS= - 4.5 V

0.023 at V_GS= - 2.5 V

0.032 at V_GS= - 1.8 V

- 20

•

SO-8

Top View

Ordering Information: Si4403BDY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)

Si4403BDY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)

P-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted

Symbol

10 s

Steady State

Unit

Parameter

V_DS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

- 20

V_GS

T_A= 25 °C

T_A= 70 °C

- 9.9

- 7.9

- 7.3

Continuous Drain Current (T_J= 150 °C)^a

I_D

- 5.8

I_DM

I_S

Pulsed Drain Current

Continuous Source Current (Diode Conduction)^a

- 30

- 2.3

2.5

- 1.3

T_A= 25 °C

T_A= 70 °C

1.35

Maximum Power Dissipation^a

P_D

1.6

0.87

T_J, T_stg

Operating Junction and Storage Temperature Range

- 55 to 150

°C

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

R_thJA

Typical

Maximum

Unit

t ≤ 10 s

Maximum Junction-to-Ambient^a

Maximum Junction-to-Foot (Drain)

Steady State

°C/W

R_thJF

Notes:

a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.

Document Number: 72268

S09-0705-Rev. C, 27-Apr-09

www.vishay.com

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