Datasheet > SI4408DY

SI4408DY

更新时间： 2024-01-09 07:44:09

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		/
页数	文件大小	规格书
4页	42K
描述
N-Channel 20-V (D-S) MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SI4408DY 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Not Recommended
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.37
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	14 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-609代码：	e0
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	3.5 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

SI4408DY 数据手册

Si4408DY

Vishay Siliconix

New Product

N-Channel 20-V (D-S) MOSFET

FEATURES

D TrenchFETr Power MOSFET

PRODUCT SUMMARY

D PWM Optimized for Fast Switching

D Low Switching Losses

D Low Gate Drive Losses

D 100% R_GTested

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

0.0045 @ V = 10 V

0.0068 @ V = 4.5 V

APPLICATIONS

D Self-Driven Synchronous Rectification

SO-8

Top View

N-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

10 secs

Steady State

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

"20

= 25_C

= 70_C

Continuous Drain Current (T = 150__C)

Pulsed Drain Current (10 ms Pulse Width)

Continuous Source Current (Diode Conduction)

2.9

3.5

2.2

1.3

1.6

= 25_C

= 70_C

Maximum Power Dissipation

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

-55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

t v 10 sec

Steady State

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

_C/W

Maximum Junction-to-Foot (Drain)

thJF

Notes

a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.

Document Number: 70687

S-03662—Rev. B, 14-Apr-03

www.vishay.com

12 3 4

中文翻译

下载PDF

SI4408DY 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
SI4408DY-T1-GE3	VISHAY	类似代替	N-CHANNEL 20V (D-S) MOSFET - Tape and Reel
SI4408DY-T1-E3	VISHAY	功能相似	Trans MOSFET N-CH 20V 14A 8-Pin SOIC N T/R

与SI4408DY相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SI4408DY-T1-E3	VISHAY	获取价格	Trans MOSFET N-CH 20V 14A 8-Pin SOIC N T/R
SI4408DY-T1-GE3	VISHAY	获取价格	N-CHANNEL 20V (D-S) MOSFET - Tape and Reel
SI4409DY	VISHAY	获取价格	P-Channel 150-V (D-S) MOSFET
SI4409DY-T1-GE3	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1.3A I(D), 150V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
SI4410BDY	VISHAY	获取价格	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4410BDY-E3	VISHAY	获取价格	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4410BDY-T1	VISHAY	获取价格	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4410BDY-T1-E3	VISHAY	获取价格	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4410BDY-T1-GE3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 7500 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPL
SI4410DY	VISHAY	获取价格	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET