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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOT |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.16 | Samacsys Confidence： | 3 |
| Samacsys Status： | Released | Samacsys PartID： | 184123 |
| Samacsys Pin Count： | 8 | Samacsys Part Category： | Integrated Circuit |
| Samacsys Package Category： | Small Outline Packages | Samacsys Footprint Name： | 8-Pin Narrow SOIC |
| Samacsys Released Date： | 2015-04-13 16:59:08 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 7.5 A | 最大漏极电流 (ID)： | 7.5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0135 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 2.5 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Powers |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| SI4410BDY-T1-GE3 | VISHAY |
类似代替  |
TRANSISTOR 7500 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPL |
|
| SI4490DY-T1-E3 | VISHAY |
类似代替 |
TRANSISTOR 2850 mA, 200 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPLIANT, SOP-8, FET |
|
| SI4418DY-T1-E3 | VISHAY |
功能相似 |
N-Channel 200-V (D-S) MOSFET |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SI4410BDY-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
TRANSISTOR 7500 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPL |
|
| SI4410DY | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
|
| SI4410DY | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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| SI4410DY | NXP |
获取价格 |
N-channel enhancement mode field-effect transistor |
|
| SI4410DY | FAIRCHILD |
获取价格 |
Single N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET |
|
| SI4410DY | TYSEMI |
获取价格 |
RDS(ON) 0.0135 VGS=10V Low gate charge. Fast switching speed. |
|
| SI4410DY | KEXIN |
获取价格 |
N-Channel MOSFET |
|
| SI4410DY (KI4410DY) | KEXIN |
获取价格 |
N-Channel MOSFET |
|
| SI4410DY_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 10A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- |
|
| SI4410DYF011 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 10A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- |
|
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