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SI4412DY-E3

更新时间: 2024-11-15 14:44:43
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威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
5页 218K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

SI4412DY-E3 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.82Is Samacsys:N
配置:Single最大漏极电流 (Abs) (ID):7 A
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):2.5 W子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES端子面层:Matte Tin (Sn)
Base Number Matches:1

SI4412DY-E3 数据手册

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