SI4416DY-T1

更新时间： 2024-09-30 06:11:35

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管
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描述
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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SI4416DY-T1 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.87	Is Samacsys：	N
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	6.9 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-609代码：	e0
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	2.5 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

SI4416DY-T1 数据手册

Si4416DY

Vishay Siliconix

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

D TrenchFETr Power MOSFET

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

0.018 @ V = 10 V

9.0

7.3

0.028 @ V = 4.5 V

SO-8

Top View

Ordering Information: Si4416DY

Si4416DY-T1 (with Tape and Reel)

N-Channel

MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

10 secs

Steady State

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

"20

= 25_C

= 70_C

9.0

7.5

6.9

5.6

Continuous Drain Current (T = 150_C)

Pulsed Drain Current (10 ms Pulse Width)

Continuous Source Current (Diode Conduction)

2.1

2.5

1.6

1.2

1.4

0.9

= 25_C

= 70_C

Maximum Power Dissipation

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

-55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typ

Max

Unit

t v 10 sec

Steady-State

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

thJF

_C/W

Maximum Junction-to-Foot (Drain)

Notes

a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.

Document Number: 72266

S-31062—Rev. E, 26-May-03

www.vishay.com

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