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SI4420DY/T3

更新时间： 2024-11-15 15:51:11

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
12页	254K
描述
TRANSISTOR 12.5 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MS-012AA, PLASTIC, SO-8, FET General Purpose Small Signal

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SI4420DY/T3 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.29	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	0.0125 A
最大漏源导通电阻：	0.009 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	MS-012AA	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
元件数量：	1	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SI4420DY/T3 数据手册

Si4420DY

N-channel enhancement mode ﬁeld-effect transistor

M3D315

Rev. 01 — 28 May 2001

Product data

1. Description

N-channel enhancement mode ﬁeld-effect transistor in a plastic package using

TrenchMOS™¹technology.

Product availability:

Si4420DY in SOT96-1 (SO8).

2. Features

■ Low on-state resistance

■ Fast switching

■ TrenchMOS™ technology.

3. Applications

■ DC to DC convertors

■ DC motor control

■ Lithium-ion battery applications

■ Notebook PC

■ Portable equipment applications.

4. Pinning information

Table 1: Pinning - SOT96-1, simpliﬁed outline and symbol

Description

source (s)

gate (g)

Simpliﬁed outline

Symbol

1,2,3

5,6,7,8

drain (d)

MBB076

Top view

MBK187

SOT96-1 (SO8)

1. TrenchMOS is a trademark of Royal Philips Electronics.

12 3 4 5 6 7...12

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